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QUANTUM SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS FABRICATION PROCESS

Seeds code S100003800
Posted date Dec 3, 2010
Researchers
  • (In Japanese)山口 浩一
Name of technology QUANTUM SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS FABRICATION PROCESS
Technology summary (In Japanese)半導体量子ドットデバイス10は、GaAs基板11上に、GaAsバッファ層12を介して、第1のInAs量子ドット13、GaAsスペーサ層14、第2のInAs量子ドット15、GaAsキャップ層16を有している。また、このGaAsキャップ層16には、第2のInAs量子ドット15に接続するナノホール17が自己形成されている。また、ナノホール17には金属等の導電体が充填されて、ナノホール電極18を構成している。この場合、ナノホール17は、GaAsキャップ層16の表面領域において、第2のInAs量子ドット15の真上にのみ自己形成されるナノメータオーダの細孔である。そして、ナノホール電極18と、これに接続する第2のInAs量子ドット15とで、ナノコンタクト電極を構成している。すなわち、上層のInAs量子ドット15をコンタクトとして使用し、この第2のInAs量子ドット15を介して、下層のInAs量子ドット13に対するキャリアの出し入れを個別に制御する。
Drawing

※Click image to enlarge.

thum_2004-244210.gif
Research field
  • Solid‐state devices in general
  • Manufacturing technology of solid‐state devices
Seeds that can be deployed (In Japanese)ターゲットとする量子ドットへの効率的なキャリアの出し入れを可能にする量子半導体装置を提供する。
ターゲットとする量子ドットへの効率的なキャリアの出し入れが可能となり、また、量子ドットのスケールに応じた微細な配線構造を有する量子半導体装置が得られる。
Usage Use field (In Japanese)量子ドット構造、量子半導体装置
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立大学法人電気通信大学, . (In Japanese)山口 浩一, . QUANTUM SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS FABRICATION PROCESS. P2006-066463A. Mar 9, 2006
  • H01L  33/16     
  • H01L  29/06     
  • H01L  31/10     

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