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PRODUCTION METHOD OF DIAMOND-LIKE CARBON FILM

Seeds code S100003805
Posted date Dec 3, 2010
Researchers
  • (In Japanese)飯島 貴之
  • (In Japanese)チュウ チャオキョン
  • (In Japanese)田中 勝己
Name of technology PRODUCTION METHOD OF DIAMOND-LIKE CARBON FILM
Technology summary (In Japanese)基体の表面上に、触媒作用を有する遷移金属から選ばれる1種以上を複合した金属化合物を含有する溶液を塗布し、この基体の表面上に金属化合物を形成させた後に、金属化合物が表面上に形成された基体を、炭化水素ガス含有雰囲気中で1400℃以上に加熱する。これにより、常圧において、基体の表面上に、炭化水素ガスの熱分解によるダイヤモンドライクカーボン膜を形成する。金属化合物の溶液を塗布して形成させる割合は、金属化合物の金属原子の数量が、基体を構成する原子の単位表面積当たりの原子の個数の約10分の1となる割合とするのが好ましい。基体には、シリコンやガリウムヒ素などの単結晶半導体材料を用いることができる。金属化合物としては、溶媒に容易に溶解するものが好ましく、金属塩、例えば硝酸ニッケルNi(NO32・6H2Oを用いることができる。また金属化合物を溶解又は微細分散させる溶媒は、水、低級アルコール又はこれらの混合物を用いることができる。触媒金属としては、Ni、Fe、Co、Ru等の遷移金属が挙げられる。
Research field
  • Techniques and equipment of thin film deposition
  • Semiconductor thin films
Seeds that can be deployed (In Japanese)常圧で成膜さすることを可能にし、簡便な設備によっても成膜でき、更に、生産性の向上をも図ることのできるダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法を提供する。
ダイヤモンドライクカーボン被膜を、工業上実施可能な温度範囲にて、密着性良く成膜できる。
Usage Use field (In Japanese)可変バンドギャップ半導体、電子エミッタ材料、平面ディスプレイ
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立大学法人電気通信大学, . (In Japanese)飯島 貴之, チュウ チャオキョン, 田中 勝己, . PRODUCTION METHOD OF DIAMOND-LIKE CARBON FILM. P2005-226162A. Aug 25, 2005
  • C23C  16/27     
  • C30B  29/04     

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