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BORON-DOPED DOUBLE WALL CARBON NANOTUBE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Seeds code S100003822
Posted date Dec 3, 2010
Researchers
  • (In Japanese)遠藤 守信
  • (In Japanese)金 隆岩
  • (In Japanese)林 卓哉
  • (In Japanese)村松 寛之
Name of technology BORON-DOPED DOUBLE WALL CARBON NANOTUBE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
Technology summary (In Japanese)2層カーボンナノチューブとホウ素元素を混合し、混合物を不活性ガス雰囲気の加熱炉中で熱処理を行い、2層カーボンナノチューブの六員環炭素原子をホウ素原子に置換するとともに隣接する2層カーボンナノチューブを融合させて径大な2層チューブ構造に形成するか、または隣接する2層カーボンナノチューブの外層同士をホウ素原子を含むチエーンを介して共有結合させて、連結したチューブ構造に形成するホウ素ドープ2層カーボンナノチューブの製造方法である。2層カーボンナノチューブにホウ素元素をホウ素換算で0.01~0.1wt%混合し、混合物は、1400~1600℃の温度範囲で熱処理を行う。
Drawing

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thum_2005-100864.gif
Research field
  • Materials of solid‐state devices
  • Manufacturing technology of solid‐state devices
  • Production and handling of solid in general
Seeds that can be deployed (In Japanese)2層カーボンナノチューブ(DWNT)のサイズコントロールを行えるホウ素ドープ2層カーボンナノチューブの製造方法を提供する。
サイズコントロール、形状コントロールを低温で行えるから、製造が容易となり、また種々の用途に用いることができる。
Usage Use field (In Japanese)リチウム電池、電極材、触媒担体
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立大学法人信州大学, . (In Japanese)遠藤 守信, 金 隆岩, 林 卓哉, 村松 寛之, . BORON-DOPED DOUBLE WALL CARBON NANOTUBE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME. P2006-282408A. Oct 19, 2006
  • C01B  31/02     
  • B82B   1/00     
  • B82B   3/00     

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