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WIDE-BAND ENERGY RANGE RADIATION DETECTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Seeds code S100003845
Posted date Dec 3, 2010
Researchers
  • (In Japanese)畑中 義式
  • (In Japanese)青木 徹
Name of technology WIDE-BAND ENERGY RANGE RADIATION DETECTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
Technology summary (In Japanese)Si基板3のp型層と、CdTe(またはCdZnTe)基板4のn型層とを加熱しながら張り合わせると、Inを接着層として、Si基板3とCdTe基板(またはCdZnTe基板)4とが結合される。これにより、CdTeとSiの2つのpinダイオードがシリーズ接続された構造体が形成される。Si基板3とCdTe(またはCdZnTe)基板4とをタンデムに配置し、Si基板3側からX線を入射すると、軟X線1はSi基板3の内部で吸収されるが、硬X線2はSi基板3を透過しCdTe(またはCdZnTe)基板4の内部に浸透し消滅する。それぞれの基板に電極を設けることにより、X線の消滅に伴う電荷を検出できる。さらに、Si基板3とCdTe基板4との間にIn(インジウム)を間挿して一体化を図ることにより、強度を高めるとともに各検出素子を分離独立できる。強度が高まれば、切削又はエッチングなどの機械的あるいは化学的処理により、CdTe基板4に分離帯を設ける加工を行い得る。この加工により各検出素子を電気的に分離独立できるため、2次元画像センサとして利用できる。
Drawing

※Click image to enlarge.

thum_2003-418086.gif
Research field
  • Radiation detection and detectors
Seeds that can be deployed (In Japanese)Si基板とCdTe基板とをタンデムに配置し、Si基板側からX線を入射すると、軟X線はSi基板の内部で吸収されるが、硬X線はSi基板を透過しcdTe基板の内部に浸透し消滅する。それぞれの基板に電極を設けることにより、X線の消滅に伴う電荷を検出する。
Si基板とCdTe基板とをタンデムに配置し、それぞれの基板に電極を設けることにより、X線の消滅に伴う電荷を検出することができる。また、Si基板とCdTe基板との間にInを間挿して一体化を図ることにより、強度を高めるとともに各検出素子を分離独立できる。
Usage Use field (In Japanese)半導体素子、2次元画像センサ
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立大学法人静岡大学, . (In Japanese)畑中 義式, 青木 徹, . WIDE-BAND ENERGY RANGE RADIATION DETECTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF. P2005-183454A. Jul 7, 2005
  • H01L  31/09     
  • G01T   1/24     

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