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METHOD AND APPARATUS FOR IRRADIATING LASER BEAM, METHOD AND APPARATUS OF MICRO MACHINING, AND METHOD AND APPARATUS FOR FORMING THIN FILM

Seeds code S100004069
Posted date Dec 6, 2010
Researchers
  • (In Japanese)阪部 周二
  • (In Japanese)高野 幹夫
  • (In Japanese)橋田 昌樹
  • (In Japanese)清水 政二
Name of technology METHOD AND APPARATUS FOR IRRADIATING LASER BEAM, METHOD AND APPARATUS OF MICRO MACHINING, AND METHOD AND APPARATUS FOR FORMING THIN FILM
Technology summary (In Japanese)このレーザ照射方法は、固体表面から剥離すべき所望の剥離深さ及び固体表面の材質に応じて、固体表面に照射されることで固体表面に非熱的なイオン化放出を引き起こす低フルーエンス領域内のフェムト秒レーザに係る照射フルーエンスの値を、低フルーエンス領域内で設定する設定工程と、固体表面に対して設定された照射フルーエンスの値でフェムト秒レーザを照射する照射工程と、を備える。ここで、「低フルーエンス領域」とは、非熱的なイオン化が固体表面で生じるアブレーション閾値付近の領域を意味する。「フェムト秒レーザ」とは、固体表面をなす金属等の材質に対して、その衝突緩和時間よりも短い時間のパルス幅を有する、フェムト秒オーダのパルスレーザを意味する。また、レーザ照射装置1において、レーザ光源装置11は、制御装置10により、ターゲット13の材質と、ターゲット13の表面を剥離するに際して要望される所望の剥離深さ(又は、アブレーション率)とに応じて設定された照射フルーエンスの値で、フェムト秒レーザLBを発生するように構成されている。
Drawing

※Click image to enlarge.

thum_2004-020536.gif
Research field
  • Special machining
  • Lasers in general
  • Techniques and equipment of thin film deposition
Seeds that can be deployed (In Japanese)固体表面において原子・分子レベルでの剥離や原子・分子レベルでのイオン化(即ち、脱離イオン化)が可能であり、アブレーションによる微細加工、微細なイオン放出、非破壊的な固体表面分析等に好適に利用可能である、レーザ照射方法及び装置、これらを用いた固体表面における微細加工方法及び装置、並びに薄膜形成方法及び装置を提供する。
レーザ光源装置による照射工程で、フェムト秒レーザLBがこの設定値で照射されるので、レーザ照射装置によれば、高フルーエンスのレーザ照射によって又は長いパルスのレーザ照射によってターゲットの表面における熱的なイオン化を招くことなく或いは加熱による溶融や破壊を招くことなく、原子・分子レベルで剥離或いはアブレーションを行うことができる。
Usage Use field (In Japanese)レーザ照射装置、薄膜形成装置
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立大学法人京都大学, . (In Japanese)阪部 周二, 高野 幹夫, 橋田 昌樹, 清水 政二, . METHOD AND APPARATUS FOR IRRADIATING LASER BEAM, METHOD AND APPARATUS OF MICRO MACHINING, AND METHOD AND APPARATUS FOR FORMING THIN FILM. P2005-212013A. Aug 11, 2005
  • B23K  26/00     
  • B82B   3/00     
  • C23C  14/28     

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