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METHOD FOR MANUFACTURING SILICON

Seeds code S100004076
Posted date Dec 6, 2010
Researchers
  • (In Japanese)福中 康博
  • (In Japanese)野平 俊之
  • (In Japanese)安田 幸司
  • (In Japanese)萩原 理加
Name of technology METHOD FOR MANUFACTURING SILICON
Technology summary (In Japanese)シリコンを主とする材料から構成される陰極を用いて溶融塩中で電解還元するシリコンの製造方法であって、陰極にケイ素酸化物を接触させシリコンを製造する。製造されたシリコンは、金属不純物の含有量が100ppm以下で、ホウ素およびリンの不純物の含有量が1ppm未満である。ケイ素酸化物は、5~30重量%のシリコンを含み、粉末を圧縮成形し焼結した、空隙率30~80%二酸化ケイ素成形体である。電解還元の陰極電位が0.6~1.2Vで、電解還元温度が500~1000℃である。溶融塩が塩化カルシウム、塩化リチウム、塩化ナトリウム、塩化カリウム、または混合塩を用いる。
Research field
  • Electrolytic equipment
Seeds that can be deployed (In Japanese)陰極にシリコンを用いた二酸化ケイ素の電解還元により、陰極由来の不純物の混入がないシリコンの製造方法を提供する。
純度が太陽電池級(SOG)である。さらに、二酸化ケイ素として多孔質二酸化ケイ素粉末成形体を用い、粉末成形体中にシリコン粉末を所定量混入することにより、シリコン粉末を混入しない場合より還元速度の向上がみられ、高効率にシリコンを製造することができる。また、シラン系ガスを利用するプロセスよりも製造に必要なエネルギーが少なく、コストダウンにつながる。
Usage Use field (In Japanese)シリコン
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立大学法人京都大学, . (In Japanese)福中 康博, 野平 俊之, 安田 幸司, 萩原 理加, . METHOD FOR MANUFACTURING SILICON. P2006-321688A. Nov 30, 2006
  • C25B   1/00     
  • C01B  33/023    

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