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METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE, SILICON CARBIDE, AND APPARATUS FOR PRODUCING SILICON CARBIDE

Seeds code S100004144
Posted date Dec 6, 2010
Researchers
  • (In Japanese)白井 肇
Name of technology METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE, SILICON CARBIDE, AND APPARATUS FOR PRODUCING SILICON CARBIDE
Technology summary (In Japanese)炭化シリコンの作製方法は、大気圧マイクロプラズマジェットPで、シリコン基材Sの表層部分に炭化シリコンを形成するに際し、針状電極11を用い、針状電極内にメタンを含有する原料ガスRを導入すると共に、シリコン基材Sの温度を400℃以下として、針状電極11の先端部より原料ガスRを放出しつつ、針状電極11に高周波を印加し、更に、針状電極11とシリコン基材Sとの距離を1~4mmの範囲とする。好ましくは、シリコン基材Sを非加熱状態とし、針状電極11の内径が50μm~10cmであり、原料ガスRの流量が1sccm~1000sccmである。高周波を印加して得た大気圧マイクロプラズマジェットRは極めて反応性に富むので、所定のシリコン基材上Sに照射することにより、シリコン基材Sを高温に加熱しない場合においても、化学反応を通じて目的とする炭化シリコンを形成することができる。
Drawing

※Click image to enlarge.

thum_2004-146779.gif
Research field
  • Techniques and equipment of thin film deposition
  • Semiconductor thin films
Seeds that can be deployed (In Japanese)高温加熱を必要とせず、高品質な炭化シリコンを作製する方法を提供する。
プラズマジェットを所定の径に絞り込んでシリコン基材上に照射することにより、マスクパターンを必要とすることなく、シリコン基材の局所領域に炭化シリコンを形成することができ、炭化シリコンを含む集積化した半導体デバイスを簡易に作製することができる。
Usage Use field (In Japanese)炭化シリコン結晶、半導体デバイス、炭化シリコン作製装置
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立大学法人埼玉大学, . (In Japanese)白井 肇, . METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE, SILICON CARBIDE, AND APPARATUS FOR PRODUCING SILICON CARBIDE. P2005-325434A. Nov 24, 2005
  • C23C  16/42     
  • C23C  16/513    
  • H01L  21/205    
  • H05H   1/24     
  • H05H   1/30     

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