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MANUFACTURING METHOD OF FINE PARTICLE DIFFUSED INSULATING FILM, MEMORY ELEMENT USING THE SAME, MANUFACTURING METHOD OF LIGHT EMITTING ELEMENT, MEMORY ELEMENT, AND LIGHT EMITTING ELEMENT USING THE SAME FILM

Seeds code S100004180
Posted date Dec 6, 2010
Researchers
  • (In Japanese)東 清一郎
Name of technology MANUFACTURING METHOD OF FINE PARTICLE DIFFUSED INSULATING FILM, MEMORY ELEMENT USING THE SAME, MANUFACTURING METHOD OF LIGHT EMITTING ELEMENT, MEMORY ELEMENT, AND LIGHT EMITTING ELEMENT USING THE SAME FILM
Technology summary (In Japanese)この微粒子分散絶縁膜の製造方法は、基板11上に半導体成分を過剰に含む組成の絶縁膜150を形成し、プラズマ発生装置50によるプラズマジェットを用いて絶縁膜150をアニールし、絶縁膜150中に含まれる半導体成分を相分離させることによって半導体微粒子152を形成する。これにより、絶縁膜150から絶縁体151中に結晶構造を有する半導体微粒子152が点在する微粒子分散絶縁膜15が形成される。半導体成分を過剰に含む組成の絶縁膜150は、組成は特に問わないが、Si又はGeを過剰に含むSiOx:0<x≦2、または、SixGeyO1-(x+y):0<x≦1、0<x≦1及び0<x+y≦1なる組成の絶縁膜150がよい。このような組成の絶縁膜150から、電荷保持ノード密度の高い微粒子分散絶縁膜15又はキャリアの発光再結合中心密度の高い微粒子分散絶縁膜15を効率的に製造することができる。絶縁膜150の膜厚は、例えばメモリ素子を製造する場合においては、10~100nmにするのがよい。これにより、駆動電圧が低く、データ書き込みや消去に要する時間が短く応答性の高いメモリ素子を製造できる。
Drawing

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thum_2005-094203.gif
Research field
  • Insulating materials
  • Manufacturing technology of solid‐state devices
  • Materials of solid‐state devices
Seeds that can be deployed (In Japanese)ガラス等の基板を含む種々の基板上に作製することができ、微粒子分散絶縁膜中の半導体微粒子の面密度が高く、かつ、均一な大きさで膜厚方向で広範囲にわたって均一な面密度の半導体微粒子を有する微粒子分散絶縁膜の製造方法、これを用いたメモリ素子、発光素子の製造方法を提供する。
駆動電圧が低く、データ書き込みみや消去に要する時間が短く応答性の高いメモリ素子を製造することができる。
Usage Use field (In Japanese)集積回路、高速熱処理法、プラズマジェット、
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立大学法人広島大学, . (In Japanese)東 清一郎, . MANUFACTURING METHOD OF FINE PARTICLE DIFFUSED INSULATING FILM, MEMORY ELEMENT USING THE SAME, MANUFACTURING METHOD OF LIGHT EMITTING ELEMENT, MEMORY ELEMENT, AND LIGHT EMITTING ELEMENT USING THE SAME FILM. P2006-278625A. Oct 12, 2006
  • H01L  21/316    
  • H01L  21/20     
  • H01L  21/8247   
  • H01L  29/788    
  • H01L  29/792    
  • H01L  27/115    
  • H01L  21/265    
  • H01L  33/26     

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