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STRESS MEASURING METHOD AND APPARATUS THEREFOR

Seeds code S100004195
Posted date Dec 6, 2010
Researchers
  • (In Japanese)新津 靖
  • (In Japanese)一瀬 謙輔
  • (In Japanese)五味 健二
Name of technology STRESS MEASURING METHOD AND APPARATUS THEREFOR
Technology summary (In Japanese)レーザ光源2から出たレーザ光Rは、ほぼ全光量がコリメーターレンズ3、焦点レンズ4、偏光子5を通り(振動方向Fと主軸方向Sが平行)、PEM6(光弾性変調器)第1の1/4波長板Q1、第2の1/4波長板Q2、検光子10、を通り、フォトディテクタ11に到達する。試料1はQ1とQ2の間に置かれる。PEM6の光弾性変調器では、所定振動数で、入射した直線偏光から円偏光まで連続的に変化する変調偏光波を出力する。変調制御部15はPEM6の変調を制御し、変調周波数等を変更して所定振動数に設定する。フォトディテクタ11ではレーザ光Rが電流に変換され、このアナログ検出信号は電流-電圧変換回路と信号増幅回路及びフィルタ回路からなるシグナルコンディショニングモジュール17を経由し、直流電圧信号と交流電圧信号にフィルタリングされ、それぞれ、直流電圧計12とロックインアンプ13に導かれ、ロックインアンプ13は、交流電圧信号を測定・増幅し、その後アナログ/デジタル変換器16でアナログ検出信号がデジタル信号に変換される。これらデジタル信号はデータ処理装置14に送られ、表示される。
Drawing

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thum_2004-007599.gif
Research field
  • Mechanics of elasticity in general
  • Polarization, birefringence, optical rotation
Seeds that can be deployed (In Japanese)レーザ光弾性法を利用した複屈折位相差測定方法を用い、半導体ウエハのプロセス誘起応力の測定など、非接触、インラインで高精度化・高速化された応力測定装置を提供する。
走査型レーザ光弾性測定装置で、従来は殆ど不可能であった厚さ600μm程度のSiおよびGaAsウエハの応力が精度よくかつ高速に測定でき、さらに、Si単結晶のひずみと複屈折の関係づけも可能である。
Usage Use field (In Japanese)応力測定装置
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)東京電機大学, . (In Japanese)新津 靖, 一瀬 謙輔, 五味 健二, . STRESS MEASURING METHOD AND APPARATUS THEREFOR. P2005-201749A. Jul 28, 2005
  • G01L   1/00     

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