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CRYSTAL GROWTH METHOD AND CRYSTAL GROWTH EQUIPMENT meetings

Seeds code S100004309
Posted date Dec 7, 2010
Researchers
  • (In Japanese)中村 篤志
  • (In Japanese)天明 二郎
  • (In Japanese)青木 徹
  • (In Japanese)田中 昭
Name of technology CRYSTAL GROWTH METHOD AND CRYSTAL GROWTH EQUIPMENT meetings
Technology summary (In Japanese)結晶成長装置では、反応菅11は、基板41を内部に収納し、減圧する。加熱手段21は、基板41を成長温度まで加熱、維持する。原料ガス導入ライン13は、減圧された反応菅11中で、Zn元素の化合物ガスを含む1又は2以上の2族原料ガスを基板41の表面に成長圧力で供給する。中性ラジカル供給手段12、15は、減圧された反応菅11中で、基板41の表面にイオンが到達しないように、2族原料ガスの導入と同時若しくは交互に、窒素原子ラジカル及び酸素原子ラジカルを基板41の表面に成長圧力で供給する。反応菅11は、真空排気用ステンレス配管22から真空排気される。反応菅11の内部には、プラズマガスライン12と原料ガス導入ライン13が設けられる。プラズマガスライン12には、窒素、酸素、水素ガスボンベ51、52、54が接続され、それぞれバルブ55と65との間のマスフローコントローラ61、バルブ56と66との間のマスフローコントローラ62、及びバルブ58と68との間のマスフローコントローラ64によって流量が制御されてタンク回路83に接続される。マスフローコントローラ61、62、64によりガスの混合比を制御できる。
Drawing

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thum_2005-364018.gif
Research field
  • Techniques and equipment of thin film deposition
  • Oxide thin films
  • Techniques and equipment of crystal growth
Seeds that can be deployed (In Japanese)抵抗率の制御が広いダイナミックレンジで可能なp型のZnO系化合物半導体材料の結晶成長方法及び結晶成長装置を提供する。
結晶成長装置(リモートプラズマ励起MOCVD装置)では、従来あるMOCVD装置にプラズマ生成部と輸送部を加えて、反応過程にラジカルを導入し有機金属の分解を促進し、低温での結晶成長を可能にする。
Usage Use field (In Japanese)反応容器、中性ラジカル供給手段
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立大学法人静岡大学, . (In Japanese)中村 篤志, 天明 二郎, 青木 徹, 田中 昭, . CRYSTAL GROWTH METHOD AND CRYSTAL GROWTH EQUIPMENT. P2007-165805A. Jun 28, 2007
  • H01L  21/365    
  • H01L  21/205    

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