Top > Search Technology seeds > METHOD FOR MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE

METHOD FOR MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE

Seeds code S110005119
Posted date Jan 4, 2011
Researchers
  • (In Japanese)佐野 直克
  • (In Japanese)金子 忠昭
Name of technology METHOD FOR MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE
Technology summary (In Japanese)この方法は、種結晶となる炭化ケイ素(SiC)単結晶28を、C原子供給基板17に対向させ密閉容器16内で高温熱処理を行い、SiC単結晶28とC原子供給基板17との間に金属Si融液18を介在させ、液相エピタキシャル成長させる。この場合、種結晶となるSiC単結晶28は、C原子供給基板17よりも面積を小さくし、単結晶SiC20を、C原子供給基板17に対向する方向と垂直な方向(面積が広がる方向)に液相エピタキシャル成長させ、種結晶28よりも広面積の基板27を得る。又は、単結晶SiC20の、C原子供給基板17に対向する方向と垂直な方向における周囲に金属Si融液18を存在させ、単結晶SiC20を液相エピタキシャル成長させる。好ましくは、種結晶となるSiC単結晶28が、円形状に構成され、又は、一つのC原子供給基板に対し複数設置される。種結晶となるSiC単結晶28から周囲に広がるように液相エピタキシャル成長するので、種結晶の有するマイクロパイプ等の欠陥が、種結晶の小面積の部分にしか現れず、少なくとも種結晶に相当する部分以外の部分においては、欠点の殆どない単結晶炭化ケイ素基板27を得ることができる。
Drawing

※Click image to enlarge.

thum_2005-125865.gif
Research field
  • Techniques and equipment of crystal growth
  • Crystal growth of semiconductors
  • Materials of solid‐state devices
Seeds that can be deployed (In Japanese)安価で、かつ、種結晶の欠陥に起因する品質の低下を低減した単結晶炭化ケイ素基板の製造方法を提供する。
単結晶炭化ケイ素を均等に液相エピタキシャル成長させることができ、製造される単結晶の基板の品質を向上させることができるほか、基板の製造効率を向上させ、製造に要する時間を低減できる。また種結晶の面積を小さくでき、種結晶のコストを低減できる。更に、種結晶を一つのC原子供給基板に対し複数設置することにより、基板の製造コストを低減できる。
Usage Use field (In Japanese)パワーデバイス、高周波デバイス用半導体、GaN用基板
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)学校法人関西学院, . (In Japanese)佐野 直克, 金子 忠昭, . METHOD FOR MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE. P2006-298722A. Nov 2, 2006
  • C30B  29/36     
  • C30B  19/04     

PAGE TOP