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MAGNETIC MEMORY DEVICE AND WRITING METHOD THEREOF

Seeds code S110005284
Posted date Jan 11, 2011
Researchers
  • (In Japanese)能崎 幸雄
  • (In Japanese)松山 公秀
Name of technology MAGNETIC MEMORY DEVICE AND WRITING METHOD THEREOF
Technology summary (In Japanese)合成磁場発生用電流通電回路8から供給する高周波電流Iaの周波数を、第1の書き込み導体線6に直流電流Iwが流れているときに、複数の磁気記憶セル1ごとに定まる複数の最大強磁性共鳴周波数の中で最も高い最大強磁性共鳴周波数よりも高く設定する。そして第1の書き込み導体線6に直流電流Iwが流れておらず且つ第2の書き込み導体線7に高周波電流Iaが流れている1以上の交差点に対応して配置された1以上の磁気記憶セル1の磁化状態を反転させることがないように、第2の書き込み導体線7に流される高周波電流の周波数とその電流値に相関関係を持たせる。
Drawing

※Click image to enlarge.

thum_2006-059953.gif
Research field
  • Electronic recording, magnetic recording, optical recording
  • Semiconductor integrated circuit
Seeds that can be deployed (In Japanese)複数の磁気記憶セルについて、それぞれ確実に書き込みを行うことができる磁気メモリ装置及びその書き込み方法を提供する。
複数の磁気記憶セルについて、それぞれ確実に書き込みを行うことができる。また磁気記憶セルのダンピング定数と高周波電流の周波数を適宜に選択することにより、書き込みに必要な時間を1ナノ秒以下にすることも可能になる。
Usage Use field (In Japanese)強磁性共鳴効果、エネルギー効率、MRAM書き込み装置、対応共振周波数、強磁性共鳴周波数
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立大学法人九州大学, . (In Japanese)能崎 幸雄, 松山 公秀, . MAGNETIC MEMORY DEVICE AND WRITING METHOD THEREOF. P2007-242092A. Sep 20, 2007
  • G11C  11/15     
  • H01L  27/105    
  • H01L  21/8246   
  • H01L  43/08     

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