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GAS SENSOR

Seeds code S110005417
Posted date Jan 11, 2011
Researchers
  • (In Japanese)塚田 啓二
Name of technology GAS SENSOR
Technology summary (In Japanese)電界効果型トランジスタのゲート絶縁膜の上に、触媒金属からなる下部ゲート電極と、イオン導伝性膜と、触媒金属と同一又は異なる触媒金属からなりガスの透過性がある上部ゲート電極の積層構造を設けた多層ゲート型ガスセンサである。多層ゲート型ガスセンサとともに、電界効果型トランジスタのゲート絶縁膜の上に触媒金属からなるゲート電極を設けた単層ゲート型ガスセンサを一つのセンサ基板上に集積化、あるいはそれぞれを一つの実装基板上に配置したガスセンサである。そして、上部ゲート電極である触媒金属によって、ガスがイオン化してつまり解離する。解離したガスイオンのうち、下部のイオン導伝性膜では特定のイオンだけが通ることができる。下部ゲート電極は触媒金属であるので、ガスイオンにより仕事関数が変化する。これによって、従来の単層ゲート型ガスセンサの問題点であった、選択性を改善することができる。
Drawing

※Click image to enlarge.

thum_2006-329419.gif
Research field
  • Analytical instruments
  • Transistors
Seeds that can be deployed (In Japanese)ガスを検知する、又、ガス濃度を測定するガスセンサを提供する。また、ガス生成プラントや、水素ガスステーション、自動車や家庭、ビルなどに設置された燃料電池システムからのガス漏れ検知装置として利用できるガスセンサを提供する。
単層ゲート型ガスセンサによりすばやく検知して、次にある程度の濃度になったら、測定しているガスが目的のガスであるか選択性の高い多層ゲート型ガスセンサによって精度よく検知することができる。このように単層ゲート型ガスセンサと多層ゲート型ガスセンサを一緒に使うことにより、誤検知がない早い検知が可能となる。
Usage Use field (In Japanese)半導体式水素センサ、熱線型半導体式水素センサ、電界効果型トランジスタ水素センサ、白金水素センサ
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立大学法人 岡山大学, . (In Japanese)塚田 啓二, . GAS SENSOR. P2008-145128A. Jun 26, 2008
  • G01N  27/00     
  • G01N  27/414    
  • G01N  27/416    

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