単結晶炭化ケイ素基板の表面改質方法、単結晶炭化ケイ素薄膜の形成方法、イオン注入アニール方法及び単結晶炭化ケイ素基板、単結晶炭化ケイ素半導体基板
| シーズコード | S110005509 | ||
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| 掲載日 | 2011年1月12日 | ||
| 研究者 |
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| 技術名称 | 単結晶炭化ケイ素基板の表面改質方法、単結晶炭化ケイ素薄膜の形成方法、イオン注入アニール方法及び単結晶炭化ケイ素基板、単結晶炭化ケイ素半導体基板 | ||
| 技術概要 | 収納容器１６は、上、下容器１６ａ、１６ｂとを嵌め合わせる。収納容器１６としては、タンタル金属から構成され、その表面全体を炭化タンタル層３１で覆う。炭化タンタル層３１のうち、上、下容器１６ａ、１６ｂの内面を覆う部分は、収納容器１６の内部空間に露出する。内部空間に、単結晶ＳｉＣ基板１５と、Ｓｉ供給源としてのシリコンペレット１４が配置される。単結晶ＳｉＣ基板１５と下容器１６ｂの内底面との間にはスペーサ１３が介在され、単結晶ＳｉＣ基板１５の下方には適宜の隙間が形成される。従って、単結晶ＳｉＣ基板１５の上面及び下面の双方が、収納容器１６の内部空間に対し十分に露出する。収納容器１６の内部圧力を外部圧力よりも高く且つシリコンの飽和蒸気圧下の真空に保った状態で１５００℃～２３００℃の温度で加熱処理する。これにより、単結晶ＳｉＣ基板１５表面を分子レベルの精度で熱エッチングし、機械的切削加工により発生した基板表面欠陥を除去出来る。また、切削加工工程で失はれた結晶成長を促がす表面ステップ形状モフオロジーを全面に均一に形成するので単結晶ＳｉＣ基板１５の表面平坦度をサブナノオ－ダ－の分子レベルに改質する。 | ||
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画像
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| 研究分野 |
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| 展開可能なシーズ |
単結晶ＳｉＣ基板のＣ面のみならずＳｉ面の平坦化を行うことが可能で、かつ環境への負荷も小さい単結晶炭化ケイ素基板の表面改質方法を提供する。 単結晶炭化ケイ素基板のＣ面のみならずＳｉ面を平坦化できるので、柔軟性に優れた表面改質方法を提供できる。更に、加熱処理によって表面改質を行うため、化学エッチング等に比べて環境への負荷を良好に低減することができる。また、加熱処理工程において他の不純物が容器内や単結晶炭化ケイ素基板中に侵入することを防止でき、品質の良好な単結晶炭化ケイ素基板を得ることができる。 |
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| 用途利用分野 | 単結晶ＳｉＣ基板、収納容器 | ||
| 出願特許 | 特許 | 国際特許分類(IPC) | |
| ( 1 ) | 学校法人関西学院， . 金子 忠昭， . 単結晶炭化ケイ素基板の表面改質方法、単結晶炭化ケイ素薄膜の形成方法、イオン注入アニール方法及び単結晶炭化ケイ素基板、単結晶炭化ケイ素半導体基板. 特開2008-016691. 2008-01-24 |
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英語項目の表示
| 技術名称 | METHOD OF REFORMING SURFACE OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE, METHOD OF FORMING SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE THIN FILM, ION IMPLANTATION AND ANNEALING METHOD, AND SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE AND SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE |
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| 研究分野 |
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『 単結晶炭化ケイ素基板の表面改質方法、単結晶炭化ケイ素薄膜の形成方法、イオン注入アニール方法及び単結晶炭化ケイ素基板、単結晶炭化ケイ素半導体基板 』に関するお問合せ
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E-mail:
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