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METHOD OF REFORMING SURFACE OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE, METHOD OF FORMING SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE THIN FILM, ION IMPLANTATION AND ANNEALING METHOD, AND SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE AND SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Seeds code S110005509
Posted date Jan 12, 2011
Researchers
  • (In Japanese)金子 忠昭
Name of technology METHOD OF REFORMING SURFACE OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE, METHOD OF FORMING SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE THIN FILM, ION IMPLANTATION AND ANNEALING METHOD, AND SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE AND SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
Technology summary (In Japanese)収納容器16は、上、下容器16a、16bとを嵌め合わせる。収納容器16としては、タンタル金属から構成され、その表面全体を炭化タンタル層31で覆う。炭化タンタル層31のうち、上、下容器16a、16bの内面を覆う部分は、収納容器16の内部空間に露出する。内部空間に、単結晶SiC基板15と、Si供給源としてのシリコンペレット14が配置される。単結晶SiC基板15と下容器16bの内底面との間にはスペーサ13が介在され、単結晶SiC基板15の下方には適宜の隙間が形成される。従って、単結晶SiC基板15の上面及び下面の双方が、収納容器16の内部空間に対し十分に露出する。収納容器16の内部圧力を外部圧力よりも高く且つシリコンの飽和蒸気圧下の真空に保った状態で1500℃~2300℃の温度で加熱処理する。これにより、単結晶SiC基板15表面を分子レベルの精度で熱エッチングし、機械的切削加工により発生した基板表面欠陥を除去出来る。また、切削加工工程で失はれた結晶成長を促がす表面ステップ形状モフオロジーを全面に均一に形成するので単結晶SiC基板15の表面平坦度をサブナノオ-ダ-の分子レベルに改質する。
Drawing

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thum_2006-187415.gif
Research field
  • Manufacturing technology of solid‐state devices
  • Oxide thin films
  • Techniques and equipment of crystal growth
Seeds that can be deployed (In Japanese)単結晶SiC基板のC面のみならずSi面の平坦化を行うことが可能で、かつ環境への負荷も小さい単結晶炭化ケイ素基板の表面改質方法を提供する。
単結晶炭化ケイ素基板のC面のみならずSi面を平坦化できるので、柔軟性に優れた表面改質方法を提供できる。更に、加熱処理によって表面改質を行うため、化学エッチング等に比べて環境への負荷を良好に低減することができる。また、加熱処理工程において他の不純物が容器内や単結晶炭化ケイ素基板中に侵入することを防止でき、品質の良好な単結晶炭化ケイ素基板を得ることができる。
Usage Use field (In Japanese)単結晶SiC基板、収納容器
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)学校法人関西学院, . (In Japanese)金子 忠昭, . METHOD OF REFORMING SURFACE OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE, METHOD OF FORMING SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE THIN FILM, ION IMPLANTATION AND ANNEALING METHOD, AND SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE AND SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE. P2008-016691A. Jan 24, 2008
  • H01L  21/324    
  • H01L  21/265    
  • C30B  29/36     
  • C30B  33/08     

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