Top > Search Technology seeds > LIQUID PHASE GENERATION METHOD OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SEED CRYSTAL, SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SEED CRYSTAL, LIQUID PHASE EPITAXIAL GENERATION METHOD OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SEED CRYSTAL PLATE, SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SEED CRYSTAL PLATE, GENERATION METHOD OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SEED CRYSTAL SUBSTRATE AND SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SEED CRYSTAL SUBSTRATE

LIQUID PHASE GENERATION METHOD OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SEED CRYSTAL, SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SEED CRYSTAL, LIQUID PHASE EPITAXIAL GENERATION METHOD OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SEED CRYSTAL PLATE, SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SEED CRYSTAL PLATE, GENERATION METHOD OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SEED CRYSTAL SUBSTRATE AND SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SEED CRYSTAL SUBSTRATE

Seeds code S110005510
Posted date Jan 12, 2011
Researchers
  • (In Japanese)金子 忠昭
Name of technology LIQUID PHASE GENERATION METHOD OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SEED CRYSTAL, SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SEED CRYSTAL, LIQUID PHASE EPITAXIAL GENERATION METHOD OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SEED CRYSTAL PLATE, SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SEED CRYSTAL PLATE, GENERATION METHOD OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SEED CRYSTAL SUBSTRATE AND SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SEED CRYSTAL SUBSTRATE
Technology summary (In Japanese)多結晶SiC基板5の表面全体が加熱処理されることで、多結晶SiC基板5の表面全体が炭化処理され、多結晶SiC基板5の表面全体に炭化処理面11が形成される。そして、多結晶SiC基板5の炭化処理面11に対向して多結晶SiC基板5を近接設置して、両者の基板の隙間に金属シリコン融液12を介在させて、シリコンの飽和蒸気圧下の真空に保った状態で1500℃以上2300℃以下の温度で加熱処理することにより液相成長させると、炭化処理多結晶SiC基板5の表面19が侵食されると共に、複数枚の単結晶SiC種結晶小片13aが自己成長する。このようにして、多結晶SiC基板5の炭化処理面11上に複数枚の単結晶SiC種結晶小片13aを生成することができる。ここで、結晶構造がC軸配向の3C-SiC集合体である多結晶SiC基板5の表面が加熱処理されると、表面が炭化処理されると共に、結晶構造がC軸配向の4H-SiC集合体を含む結晶粒に成長し、多結晶SiC基板5の表面を改質して、単結晶SiC種結晶小片13aの生成の環境が提供される。
Drawing

※Click image to enlarge.

thum_2006-212627.gif
Research field
  • Techniques and equipment of crystal growth
  • Techniques and equipment of thin film deposition
  • Semiconductor thin films
Seeds that can be deployed (In Japanese)多結晶炭化ケイ素基板を使って単結晶炭化ケイ素種結晶を自己成長させ、単結晶炭化ケイ素種結晶小片を生成する単結晶炭化ケイ素種結晶の液相生成方法を提供する。
多結晶SiC基板の外周終端に近い程、金属シリコン融液の表面張力によるC原子の対流の影響で水平方向に結晶成長する速度が加速され、多結晶SiC基板の微小面積の炭化処理面上の単結晶SiC種結晶小片から水平方向に成長した、単結晶SiC種結晶小片より大きい面積の単結晶SiC種結晶板を生成することができる。
Usage Use field (In Japanese)単結晶炭化ケイ素種結晶、次世代用パワーデバイス、高周波デバイス用半導体
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)学校法人関西学院, . (In Japanese)金子 忠昭, . LIQUID PHASE GENERATION METHOD OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SEED CRYSTAL, SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SEED CRYSTAL, LIQUID PHASE EPITAXIAL GENERATION METHOD OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SEED CRYSTAL PLATE, SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SEED CRYSTAL PLATE, GENERATION METHOD OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SEED CRYSTAL SUBSTRATE AND SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SEED CRYSTAL SUBSTRATE. P2008-037684A. Feb 21, 2008
  • C30B  29/36     
  • C30B  19/12     
  • H01L  21/208    

PAGE TOP