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METHOD FOR PRODUCING THIN FILM

Seeds code S110005666
Posted date Jan 14, 2011
Researchers
  • (In Japanese)横谷 篤至
Name of technology METHOD FOR PRODUCING THIN FILM
Technology summary (In Japanese)光CVD法による薄膜作製方法において、被対象物である基板を載置した反応容器に2種類の原料ガス(シラン・NH3)を真空紫外光の光源窓部に向けて吹き付けて導入して、基板の温度を室温~300℃にすると共に、波長126nmの真空紫外光を照射することによってSiNx薄膜を形成する。そして、SiNx薄膜が形成された基板にさらに真空紫外光による光アニーリングを行う。基板温度を50℃~80℃の低温において光CVD法による薄膜を作製し、さらに光アニーリングを行うことによって酸化しない安定したSiNx薄膜を作製できる。これにより、原料ガスのシランとキャリアガスのN2を真空紫外光の光源窓部に向けて吹き付けて導入するため、窓部にアモルファスSiが付着しないため、真空紫外光の光量が変化せず安定した薄膜作製が可能である。また、SiNx薄膜が形成された基板を、さらに光アニーリング行うことにより、良質の薄膜が作製できる。
Drawing

※Click image to enlarge.

thum_2006-133269.gif
Research field
  • Techniques and equipment of thin film deposition
  • Photochemical reactions
  • Thin films of other inorganic compounds
Seeds that can be deployed (In Japanese)SiNx薄膜を低温(室温~300℃)にて作製できるSiNx薄膜を形成する薄膜作製方法を提供する。
窓部にアモルファスSiが付着しないため、真空紫外光の光量が変化せず安定した薄膜作製が可能である。基板温度を50℃~80℃の低温において薄膜を作製し、さらに光アニーリングを行うことによって酸化しない安定したSiNx薄膜を作製できるためプラスチック等の基板材料や生体系材料等の保護膜として利用できる。
Usage Use field (In Japanese)SiNx保護膜材料、半導体バリア膜材料
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立大学法人 宮崎大学, . (In Japanese)横谷 篤至, . METHOD FOR PRODUCING THIN FILM. P2007-302958A. Nov 22, 2007
  • C23C  16/48     
  • H01L  21/318    

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