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METHOD OF MANUFACTURING THIN-FILM ELECTRODE

Seeds code S110005714
Posted date Jan 14, 2011
Researchers
  • (In Japanese)岸岡 真也
Name of technology METHOD OF MANUFACTURING THIN-FILM ELECTRODE
Technology summary (In Japanese)天然マイカのへき開面1上に蒸着、スパッタリング等の方法により、金属又は金属酸化物により構成された導電性薄膜2を形成する(A)。導電性薄膜2の表面に高分子接着剤層3を設け(B)、この接着剤層3を介してガラス、石英等からなる基板4を接合する(C)。得られた接合体から天然マイカのへき開面1を剥離し、基板4の表面に導電性薄膜2が強固に密着した薄膜電極を得る(D)。天然マイカのへき開面は、高度に平滑な単結晶状態の(100)配向面を有することから、その表面に蒸着やスパッタリング等により金属の薄膜を形成すると、エピタキシャルに成長して金属の表面は平滑な(111)配向膜となることが知られている。しかしながら、従来の方法では薄膜形成後に500℃以上の高温で、アニール処理をすることが必要であった。ここでは、導電性薄膜2を高分子接着剤3を介して基板4に接合した後に、マイカのへき開面1を剥離することで、高温でのアニール処理を行なうことなく平滑な表面を有する導電性薄膜2を設けた薄膜電極を得ることができる。
Drawing

※Click image to enlarge.

thum_2007-012113.gif
Research field
  • Manufacturing technology of solid‐state devices
  • Thin films in general
  • Conducting materials
Seeds that can be deployed (In Japanese)基板との密着性が良好で、しかも光透過性に優れかつ高度な平滑性や配向性を有する薄膜電極を、安価な製造装置を使用して簡単な工程で、低コストで製造する方法を提供する。
従来の製造方法では必要とされていた高価な製造装置や複雑な工程を使用せずに、安価な製造装置を使用して簡単な工程で、光が充分に透過する平滑な薄膜金属配向膜を、大きな密着強度を保ちながらガラス、石英等の絶縁性基板上に形成した薄膜電極を低コストで得ることができる。
Usage Use field (In Japanese)導電性薄膜、高分子接着剤層
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立大学法人長岡技術科学大学, . (In Japanese)岸岡 真也, . METHOD OF MANUFACTURING THIN-FILM ELECTRODE. P2008-181906A. Aug 7, 2008
  • H01L  21/285    
  • H01L  21/28     
  • C23C  14/14     
  • H01L  51/50     
  • H05B  33/26     
  • H05B  33/10     
  • C23C  14/24     
  • C23C  14/34     
  • C30B  29/16     
  • C30B  23/08     
  • G01N  27/30     

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