単結晶炭化ケイ素基板の表面平坦化方法、単結晶炭化ケイ素基板の製造方法、及び単結晶炭化ケイ素基板
| シーズコード | S110006027 | ||
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| 掲載日 | 2011年11月2日 | ||
| 研究者 |
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| 技術名称 | 単結晶炭化ケイ素基板の表面平坦化方法、単結晶炭化ケイ素基板の製造方法、及び単結晶炭化ケイ素基板 | ||
| 技術概要 | 結晶欠陥を含む不安定サイトや、基板表面の研磨時に発生したダメージ層１５ａが存在する単結晶ＳｉＣ基板１５を高真空環境において加熱処理することにより、単結晶ＳｉＣ基板１５の表面及びその近傍を炭化して炭化層１５ｂを形成する（第１工程）。次に、単結晶ＳｉＣ基板１５をシリコンの飽和蒸気圧下で加熱処理することにより、炭化層１５ｂの部分にアモルファスＳｉＣからなる犠牲成長層（アモルファスＳｉＣ層１５ｃ）を形成するとともに、このアモルファスＳｉＣ層１５ｃを昇華させて熱エッチングする（第２工程）。この結果、不安定サイトが自己修復された平坦な単結晶ＳｉＣ表面を露出させることができる（ｄ）。このあと更に若干量熱エッチングすることで、非常に平坦化（安定化）された単結晶ＳｉＣ基板１５を得ることができる（ｅ）。 | ||
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画像
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| 研究分野 |
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| 展開可能なシーズ |
ＣＶＤ以外のエピタキシャル成長法にも適用が容易であり、単結晶炭化ケイ素基板の不安定サイト及びダメージ層を除去して極めて良好な平坦度の表面を得ることが可能な表面平坦化方法を提供する。 様々なエピタキシャル成長法に適用が容易な、単結晶炭化ケイ素基板の表面平坦化方法を提供でき、また、エピタキシャル成長用前処理技術に留まらず、単結晶炭化ケイ素基板の表面改良及び表面形状制御技術として幅広い用途に適用が可能である。 |
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| 用途利用分野 | 単結晶炭化ケイ素基板 | ||
| 出願特許 | 特許 | 国際特許分類(IPC) | |
| ( 1 ) | 学校法人関西学院， . 金子 忠昭， 西谷 滋人， . 単結晶炭化ケイ素基板の表面平坦化方法、単結晶炭化ケイ素基板の製造方法、及び単結晶炭化ケイ素基板. 特開2008-230944. 2008-10-02 |
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英語項目の表示
| 技術名称 | METHOD FOR FLATTENING SURFACE OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE, AND SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE |
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| 研究分野 |
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『 単結晶炭化ケイ素基板の表面平坦化方法、単結晶炭化ケイ素基板の製造方法、及び単結晶炭化ケイ素基板 』に関するお問合せ
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