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METHOD FOR FLATTENING SURFACE OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE, AND SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE

Seeds code S110006027
Posted date Nov 2, 2011
Researchers
  • (In Japanese)金子 忠昭
  • (In Japanese)西谷 滋人
Name of technology METHOD FOR FLATTENING SURFACE OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE, AND SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE
Technology summary (In Japanese)結晶欠陥を含む不安定サイトや、基板表面の研磨時に発生したダメージ層15aが存在する単結晶SiC基板15を高真空環境において加熱処理することにより、単結晶SiC基板15の表面及びその近傍を炭化して炭化層15bを形成する(第1工程)。次に、単結晶SiC基板15をシリコンの飽和蒸気圧下で加熱処理することにより、炭化層15bの部分にアモルファスSiCからなる犠牲成長層(アモルファスSiC層15c)を形成するとともに、このアモルファスSiC層15cを昇華させて熱エッチングする(第2工程)。この結果、不安定サイトが自己修復された平坦な単結晶SiC表面を露出させることができる(d)。このあと更に若干量熱エッチングすることで、非常に平坦化(安定化)された単結晶SiC基板15を得ることができる(e)。
Drawing

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thum_2007-077256.GIF
Research field
  • Manufacturing technology of solid‐state devices
Seeds that can be deployed (In Japanese)CVD以外のエピタキシャル成長法にも適用が容易であり、単結晶炭化ケイ素基板の不安定サイト及びダメージ層を除去して極めて良好な平坦度の表面を得ることが可能な表面平坦化方法を提供する。
様々なエピタキシャル成長法に適用が容易な、単結晶炭化ケイ素基板の表面平坦化方法を提供でき、また、エピタキシャル成長用前処理技術に留まらず、単結晶炭化ケイ素基板の表面改良及び表面形状制御技術として幅広い用途に適用が可能である。
Usage Use field (In Japanese)単結晶炭化ケイ素基板
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)学校法人関西学院, . (In Japanese)金子 忠昭, 西谷 滋人, . METHOD FOR FLATTENING SURFACE OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE, AND SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE. P2008-230944A. Oct 2, 2008
  • C30B  33/12     
  • C30B  29/36     

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