LIQUID PHASE EPITAXIAL GROWTH METHOD OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE, METHOD FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE, AND SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE
| Seeds code | S110006028 | ||
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| Posted date | Nov 2, 2011 | ||
| Researchers |
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| Name of technology | LIQUID PHASE EPITAXIAL GROWTH METHOD OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE, METHOD FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE, AND SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE | ||
| Technology summary | (In Japanese)シード基板としての単結晶SiC基板15に対向して、当該単結晶SiC基板15より自由エネルギーの高い炭素フィード基板としての多結晶SiC基板20を配置する。また、単結晶SiC基板15と多結晶SiC基板20との間にシリコンプレート23を配置する。これを真空高温環境で加熱処理し、シリコンプレート23を融解させ、単結晶SiC基板15と多結晶SiC基板20との間にSiの極薄溶融層を溶媒として介在させる。そして、基板15，20の自由エネルギーの差に基づいてSi溶融層に発生する濃度勾配を駆動力とする準安定溶媒エピタキシー（MSE）法により、単結晶SiC基板15の表面に単結晶炭化ケイ素を液相エピタキシャル成長させる。 | ||
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Drawing
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| Research field |
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| Seeds that can be deployed |
(In Japanese)SiCを液相からエピタキシャル成長させる新規な方法を提供する。 温度勾配がなく濃度勾配だけで成長の動力学が制御されるので、エピタキシャル成長を自動的に安定化させることができ、高品質なエピタキシャル成長層を得ることができる。また、様々な化学ポテンシャルの差に基づく自由エネルギーを駆動力として用いることができるので、炭化ケイ素を大面積エピタキシャル成長させることが容易である。更に、系に温度勾配を形成する必要がないので、プロセスを行うための装置構成を簡素化でき、プロセス制御も簡単になる。加えて、溶媒の厚みが極めて小さいために炭素フィード基板からの炭素の拡散が良好であり、温度上昇によりケイ素の溶融層（溶媒）に対する炭素の溶解度を上昇させる必要がないので、プロセスの低温化が容易である。以上により、エピタキシャル成長層の形成コストを低減することができる。 |
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| Usage Use field | (In Japanese)単結晶炭化ケイ素基板 | ||
| Application patent | patent | IPC(International Patent Classification) | |
| ( 1 ) | (In Japanese)学校法人関西学院， . (In Japanese)金子 忠昭， 西谷 滋人， . LIQUID PHASE EPITAXIAL GROWTH METHOD OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE, METHOD FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE, AND SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE. P2008-230946A. Oct 2, 2008 |
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