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LIQUID PHASE EPITAXIAL GROWTH METHOD OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE, METHOD FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE, AND SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE

Seeds code S110006028
Posted date Nov 2, 2011
Researchers
  • (In Japanese)金子 忠昭
  • (In Japanese)西谷 滋人
Name of technology LIQUID PHASE EPITAXIAL GROWTH METHOD OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE, METHOD FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE, AND SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE
Technology summary (In Japanese)シード基板としての単結晶SiC基板15に対向して、当該単結晶SiC基板15より自由エネルギーの高い炭素フィード基板としての多結晶SiC基板20を配置する。また、単結晶SiC基板15と多結晶SiC基板20との間にシリコンプレート23を配置する。これを真空高温環境で加熱処理し、シリコンプレート23を融解させ、単結晶SiC基板15と多結晶SiC基板20との間にSiの極薄溶融層を溶媒として介在させる。そして、基板15,20の自由エネルギーの差に基づいてSi溶融層に発生する濃度勾配を駆動力とする準安定溶媒エピタキシー(MSE)法により、単結晶SiC基板15の表面に単結晶炭化ケイ素を液相エピタキシャル成長させる。
Drawing

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thum_2007-077439.GIF
Research field
  • Thin films of other inorganic compounds
Seeds that can be deployed (In Japanese)SiCを液相からエピタキシャル成長させる新規な方法を提供する。
温度勾配がなく濃度勾配だけで成長の動力学が制御されるので、エピタキシャル成長を自動的に安定化させることができ、高品質なエピタキシャル成長層を得ることができる。また、様々な化学ポテンシャルの差に基づく自由エネルギーを駆動力として用いることができるので、炭化ケイ素を大面積エピタキシャル成長させることが容易である。更に、系に温度勾配を形成する必要がないので、プロセスを行うための装置構成を簡素化でき、プロセス制御も簡単になる。加えて、溶媒の厚みが極めて小さいために炭素フィード基板からの炭素の拡散が良好であり、温度上昇によりケイ素の溶融層(溶媒)に対する炭素の溶解度を上昇させる必要がないので、プロセスの低温化が容易である。以上により、エピタキシャル成長層の形成コストを低減することができる。
Usage Use field (In Japanese)単結晶炭化ケイ素基板
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)学校法人関西学院, . (In Japanese)金子 忠昭, 西谷 滋人, . LIQUID PHASE EPITAXIAL GROWTH METHOD OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE, METHOD FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE, AND SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE. P2008-230946A. Oct 2, 2008
  • C30B  29/36     
  • H01L  21/208    
  • C30B  19/04     

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