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ＡｌＮ結晶の製造方法


シーズコード	S110006084
掲載日	2011年11月4日
研究者	大塚寛治清宮義博高木健児杉田薫
技術名称	ＡｌＮ結晶の製造方法
技術概要	容器１０の内部にＡｌ片を挿入する。次いで、ポンプ５４でチャンバー５０の内部を排気した後、窒素ガス供給部５２によってチャンバー５０の内部に窒素ガスを供給する。窒素雰囲気の圧力は４気圧以上３０気圧以下であるのが好ましい。次いで、所定量の触媒元素含有物を容器１０の内部に供給し、ヒータ２０を用いてＡｌ片を溶融する。これにより、容器１０内に、触媒元素が溶け込んだ溶融Ａｌ２が生成する。溶融Ａｌ２の温度は、８００℃以上１３００℃以下であるのが好ましい。次いで、種結晶保持部３０に保持された種結晶４を回転させながら、種結晶４の下面を溶融Ａｌ２に浸す。種結晶４と溶融Ａｌ２の界面には触媒元素が位置している。この状態において、触媒元素は溶融Ａｌ２に溶解した窒素と反応して窒化する。触媒元素と結合した窒素がアルミニウムに受け渡され、アルミニウムが窒化する。このようにして、触媒元素を触媒としたアルミニウムの窒化反応が進行し、これにより、種結晶４にＡｌＮ結晶が成長する。
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研究分野	無機工業薬品，無機材料一般
展開可能なシーズ	ＡｌＮは、バンドギャップが紫外域にあり大きく、熱伝導率も高く、かつＡｌＧａＮ等との格子定数の整合性も良いため、ＡｌＮを化合物半導体装置の基板として使用した場合、バッファ層を形成する必要がない。しかし、結晶性の良いＡｌＮ結晶を十分な大きさに成長させることはできなかった。そこで、結晶性の良いＡｌＮ結晶を成長させることが可能なＡｌＮ結晶の製造方法を提供する。新規な方法でＡｌＮ結晶を製造することができる。
用途利用分野	ＡｌＮ結晶
出願特許		特許	国際特許分類(IPC)
出願特許	( 1 )	タマティーエルオー株式会社， . 大塚寛治，清宮義博，高木健児，杉田薫， . ＡｌＮ結晶の製造方法. . 2010-01-21	C30B 29/38 C30B 15/02 B01J 27/24 B01J 27/20 B01J 21/06