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単結晶ＳｉＣ基板の製造方法およびそれによって得られた単結晶ＳｉＣ基板


シーズコード	S110006115
掲載日	2011年11月4日
研究者	泉勝俊横山敬志
技術名称	単結晶ＳｉＣ基板の製造方法およびそれによって得られた単結晶ＳｉＣ基板
技術概要	この単結晶ＳｉＣ基板の製造方法は、Ｓｉ母材層２に所定厚さの表面Ｓｉ層３と埋め込み酸化物層４が形成されたＳＯＩ基板１に対し、表面Ｓｉ層３側からＰイオンを注入することにより、埋め込み酸化物層４をＰＳＧ層６に変成させて軟化点を低下させるＰイオン注入工程と、ＰＳＧ層６が形成されたＳＯＩ基板１を炭化水素系ガス雰囲気中で加熱して表面Ｓｉ層３をＳｉＣに変成させたのち冷却させて表面に単結晶ＳｉＣ層を形成するＳｉＣ形成工程とを行なう。Ｐイオン導入工程におけるＰイオンの導入量は、１×１０^１５～５×１０^１８個／ｃｍ^２である。Ｐイオン導入工程における基板温度は、２００～５５０℃である。Ｐイオン導入工程では、Ｐイオンの加速エネルギーが５～３０ｋｅＶでイオン注入によって行う。
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研究分野	無機工業薬品，無機材料一般
展開可能なシーズ	従来、膜質の良い単結晶ＳｉＣ基板は高価でかつ小型のものしか得られておらず、大型で膜質のよい単結晶ＳｉＣ基板は得られていない。そこで、比較的安価な多結晶ＳｉＣ基板を母材基板として、歪みが少なく大型で結晶性の良い単結晶ＳｉＣ基板を安価に製造できる単結晶ＳｉＣ基板の製造方法および単結晶ＳｉＣ基板を提供する。単結晶ＳｉＣ基板の製造方法は、炭化処理で形成されたＳｉＣ層とＳｉ母材層の収縮率に差があっても、ＳｉＣ層とＳｉ母材層の間の埋め込みガラス層が変形してＳｉ母材層とＳｉＣ層の間に滑りが発生し、基板全体の反りを大幅に抑制することができる。
用途利用分野	単結晶ＳｉＣ基板
出願特許		特許	国際特許分類(IPC)
出願特許	( 1 )	エア・ウォーター株式会社，公立大学法人大阪， . 泉勝俊，横山敬志， . 単結晶ＳｉＣ基板の製造方法. 特開2009-120455. 2009-06-04	C30B 29/36 C23C 14/48 H01L 21/265 H01L 21/20 H01L 21/02 H01L 27/12 H01L 21/205 H01L 21/31

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技術名称	METHOD FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL SiC SUBSTRATE AND SINGLE CRYSTAL SiC SUBSTRATE PRODUCED BY THE SAME
研究分野	Inorganic chemicals and inorganic materials in general