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METHOD FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL SiC SUBSTRATE AND SINGLE CRYSTAL SiC SUBSTRATE PRODUCED BY THE SAME

Seeds code S110006115
Posted date Nov 4, 2011
Researchers
  • (In Japanese)泉 勝俊
  • (In Japanese)横山 敬志
Name of technology METHOD FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL SiC SUBSTRATE AND SINGLE CRYSTAL SiC SUBSTRATE PRODUCED BY THE SAME
Technology summary (In Japanese)この単結晶SiC基板の製造方法は、Si母材層2に所定厚さの表面Si層3と埋め込み酸化物層4が形成されたSOI基板1に対し、表面Si層3側からPイオンを注入することにより、埋め込み酸化物層4をPSG層6に変成させて軟化点を低下させるPイオン注入工程と、PSG層6が形成されたSOI基板1を炭化水素系ガス雰囲気中で加熱して表面Si層3をSiCに変成させたのち冷却させて表面に単結晶SiC層を形成するSiC形成工程とを行なう。Pイオン導入工程におけるPイオンの導入量は、1×1015~5×1018個/cm2である。Pイオン導入工程における基板温度は、200~550℃である。Pイオン導入工程では、Pイオンの加速エネルギーが5~30keVでイオン注入によって行う。
Drawing

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thum_2007-298752.gif
Research field
  • Inorganic chemicals and inorganic materials in general
Seeds that can be deployed (In Japanese)従来、膜質の良い単結晶SiC基板は高価でかつ小型のものしか得られておらず、大型で膜質のよい単結晶SiC基板は得られていない。そこで、比較的安価な多結晶SiC基板を母材基板として、歪みが少なく大型で結晶性の良い単結晶SiC基板を安価に製造できる単結晶SiC基板の製造方法および単結晶SiC基板を提供する。
単結晶SiC基板の製造方法は、炭化処理で形成されたSiC層とSi母材層の収縮率に差があっても、SiC層とSi母材層の間の埋め込みガラス層が変形してSi母材層とSiC層の間に滑りが発生し、基板全体の反りを大幅に抑制することができる。
Usage Use field (In Japanese)単結晶SiC基板
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)エア・ウォーター株式会社, 公立大学法人大阪, . (In Japanese)泉 勝俊, 横山 敬志, . METHOD FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL SiC SUBSTRATE AND SINGLE CRYSTAL SiC SUBSTRATE PRODUCED BY THE SAME. P2009-120455A. Jun 4, 2009
  • C30B  29/36     
  • C23C  14/48     
  • H01L  21/265    
  • H01L  21/20     
  • H01L  21/02     
  • H01L  27/12     
  • H01L  21/205    
  • H01L  21/31     

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