TOP > クイック検索 > 技術シーズ検索 > 半導体構造物の製造方法

半導体構造物の製造方法


シーズコード	S110006473
掲載日	2011年11月22日
研究者	冨岡克広福井孝志本久順一原真二郎
技術名称	半導体構造物の製造方法
技術概要	ＩＶ族半導体基板と、その表面から垂直に延びるＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体ナノワイヤとを含む半導体構造物の製造方法は、（１１１）面を有するＩＶ族半導体基板と、（１１１）面を被覆し、開口部を有する絶縁膜とを含む基板を準備し、基板を低温熱処理して、（１１１）面を、（１１１）１×１面とし、基板に低温条件下で、ＩＩＩ族原料またはＶ族原料を供給して、（１１１）面を、（１１１）Ａ面または（１１１）Ｂ面に変換し、ＩＶ族半導体基板の（１１１）面から開口部を通して、ＩＩＩ－Ｖ化合物半導体ナノワイヤを成長させる。基板を高温熱処理してＩＶ半導体基板の表面に形成された自然酸化膜を除去する工程を含む。（１１１）Ａ面または（１１１）Ｂ面に変換された（１１１）１×１面に、Ｖ族原料とＩＩＩ族原料を交互に供給することで、ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体の薄膜を形成する工程を含む。ＩＶ族半導体基板はシリコン基板またはゲルマニウム基板が良い。ＩＩＩ族原料は、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウムおよびチタンのいずれかを含むガスである。Ｖ族原料は、窒素、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマスのいずれかを含むガスである。
画像 ※ 画像をクリックすると拡大します。
研究分野	固体デバイス材料
展開可能なシーズ	シリコン基板上にＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体（ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓなど）ナノワイヤを成長させた例が報告がされている。しかし、ナノワイヤを位置制御できない、ナノワイヤの成長方向を制御できない、などの問題がある。そこで、ＩＶ族半導体基板の表面の結晶構造を適切に制御することにより、ＩＶ速半導体基板に、ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体を方向制御をしつつ形成することを提供する。シリコンを始めとするＩＶ族半導体基板に、ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体ナノワイヤを、基板表面に垂直に、かつ高密度に配置することができる。それにより、シリコントランジスタなどの高性能化やゲルマニウム基板上の太陽電池の高効率化に寄与する。
用途利用分野	半導体構造物、半導体構造物製造装置
出願特許		特許	国際特許分類(IPC)
出願特許	( 1 )	国立大学法人北海道大学， . 冨岡克広，福井孝志，本久順一，原真二郎， . 半導体構造物の製造方法. 特開2010-058988. 2010-03-18	C30B 29/62 B82B 1/00 B82B 3/00 H01L 31/0352 H01L 21/205