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METHOD OF FORMING FLUORINE-ADDED SILICON OXIDE FILM BY LIGHT IRRADIATION

Seeds code S110006816
Posted date Dec 6, 2011
Researchers
  • (In Japanese)大越 昌幸
  • (In Japanese)井上 成美
  • (In Japanese)高尾 寛弘
Name of technology METHOD OF FORMING FLUORINE-ADDED SILICON OXIDE FILM BY LIGHT IRRADIATION
Technology summary (In Japanese)真空容器1にはMgF2の光透過窓3が形成されており、容器1内にはSi-O-Si結合を含む化合物として有機ポリシロキサン10(例えば板状)及びC-F結合を含む化合物としてポリテトラフルオロエチレン11(例えば板状)が配置されるとともにケイ素基板20(フッ素添加酸化ケイ素を堆積させるための基体)が配置されている。MgF2の光透過窓3の外側には光源30(波長170nm以下の光を含む)が設けられ、そのレーザー光が光透過窓3を通して有機ポリシロキサン10及びポリテトラフルオロエチレン11に照射されるとともにケイ素基板20にも照射される配置とする。有機ポリシロキサン10及びポリテトラフルオロエチレン11に照射する光として、波長170nm以下の光を含む必要があるのは、170nmを越える波長ではSiO2を形成するための気体を生成させ、選択的にフッ素のみを添加させることができないからであり、光源30はポリシロキサンを構成している側鎖を光開裂により完全に除去し、ポリテトラフルオロエチレンの側鎖を選択的にSiO2に添加できる170nm以下の波長の光を含む必要がある。
Drawing

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thum_2004-014439.gif
Research field
  • Optical integrated circuits, integrated optics
  • Optical effects
Seeds that can be deployed (In Japanese)良質のフッ素添加酸化ケイ素膜を室温(常温)でかつ外部からの気体の導入なしで、形成可能なSi-O-Si結合を含む化合物とC-F結合を含む化合物への光照射によるフッ素添加酸化ケイ素膜の形成法を提供する。
光照射によるフッ素添加酸化ケイ素膜の形成法によれば、熱の制限を受けることなく任意の基体上に所望のパターンで容易に良質のフッ素添加酸化ケイ素膜が形成できる。このフッ素添加酸化ケイ素膜を利用して、微細な電子デバイスの絶縁層や光学素子等が形成可能であるため、現在のより高速な電子デバイスの製作や将来の光デバイスへ移行するために必要不可欠な技術となり、これら電子及び光学分野に多大に利用可能である。
Usage Use field (In Japanese)フッ素添加酸化ケイ素膜、膜形成装置、電子デバイス絶縁層形成装置、光学素子形成装置
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)防衛装備庁長官, . (In Japanese)大越 昌幸, 井上 成美, 高尾 寛弘, . METHOD OF FORMING FLUORINE-ADDED SILICON OXIDE FILM BY LIGHT IRRADIATION. P2005-206873A. Aug 4, 2005
  • C23C  16/448    
  • C23C  16/40     
  • C23C  16/452    
  • H01L  21/316    

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