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擬似位相整合波長変換デバイスの製造方法


シーズコード	S110007271
掲載日	2011年12月22日
研究者	庄司一郎川路宗矩井村健
技術名称	擬似位相整合波長変換デバイスの製造方法
技術概要	エピタキシャル成長させたＧａＡｓの単結晶から所定の大きさのプレートを複数枚切り出す。このとき、切り出されたプレートの厚さ方向に垂直な面（プレート面）を（１１０）面とする。複数枚（６枚）のプレートのうちの２枚を、常温接合装置１０の真空チャンバー１１内に設置された第１及び第２の試料ホルダー１２、１３に、プレートの面内の［００１］方向が互いに１８０°異なるように、それぞれ取付ける。取付けが終了すると、真空チャンバー１１を閉じ、真空引きして、所定の真空度に到達してから、ビーム源１４を作動させて、Ａｒビームをプレート２１、２２の表面２１ａ、２２ａに所定時間照射して、表面をエッチングする。これにより、プレート２１、２２の表面２１ａ、２２ａを活性化処理できる。エッチングして活性化処理した後、表面２１ａと表面２２ａとを常温にて密着させて接合し、プレート２１とプレート２２とを常温接合する、という操作を、所定回数ｎ＝５だけ繰り返すことにより、複数のプレートが、隣接するプレート同士の面内の［００１］方向が互いに１８０°異なるように接合されてＧａＡｓ擬似位相整合波長変換デバイスを作製することができる。
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研究分野	レーザ一般固体デバイス製造技術一般
展開可能なシーズ	さまざまな波長のレーザ光を高出力でかつ効率良く発生させることのできる擬似位相整合波長変換デバイスを容易に作製する方法を提供する。短時間で、材料を劣化させることなく、接合面を原子レベルで接合することができる。したがって、さまざまな波長のレーザ光を高出力でかつ効率良く発生させることのできる擬似位相整合波長変換デバイスを容易に作製できる。また、対向するように設置された２枚のプレートの間隔を１～５ｍｍとすれば、活性化処理後の界面の状態がクリーンな状態で常温接合できるので、変換効率を向上させることができる。
用途利用分野	擬似位相整合波長変換デバイス、ＧａＡｓ波長変換デバイス、波長変換デバイス
出願特許		特許	国際特許分類(IPC)
出願特許	( 1 )	学校法人　中央大学， . 庄司一郎，川路宗矩，井村健， . 擬似位相整合波長変換デバイスの製造方法. 特開2009-237081. 2009-10-15	G02F 1/37 G02F 2/02

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技術名称	METHOD OF MANUFACTURING QUASI-PHASE MATCHING WAVELENGTH CONVERSION DEVICE
研究分野	Lasers in general Manufacturing technology of solid‐state devices