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PHOTOCHEMICAL WELDING METHOD AND DECOMPOSING METHOD USING COMPOUND CONTAINING Si-O-Si BOND

Seeds code S120007598
Posted date Jan 4, 2012
Researchers
  • (In Japanese)大越 昌幸
  • (In Japanese)井上 成美
Name of technology PHOTOCHEMICAL WELDING METHOD AND DECOMPOSING METHOD USING COMPOUND CONTAINING Si-O-Si BOND
Technology summary (In Japanese)真空紫外F2レーザー(波長157nm)により、Si‐O‐Si結合を含む化合物(シリコーンゴムなど)を光化学的にシリカガラスに改質する過程において、所望の被接合材料(シリカガラス材料など)を接触させておくことにより、非熱的に材料を接合させる光化学的溶接を行う。その結果、熱による材料の変質・変形が皆無で、かつ希フッ酸の中に短時間浸漬することにより、接合後の分解もでき、部品の再利用が可能となる。図1は光化学溶接装置の概略である。(a)は被接合材料がシリカガラス製板、(b)はシリカガラス製光ファイバー、(c)はシリカガラス製微小球の場合である。いずれの材料も入射レーザー光を透過させる性質を有するものであり、シリコーンゴムは、レーザー光照射により、分子開裂、低分子量化が起こり、その後シリカガラス(SiO2)への改質が光化学的に起こる。このために、シリコーンゴムに被溶接材料としてのシリカガラス体を接触させ、その界面に被溶接材料を透過させてレーザー光を照射することで光化学的溶接部が界面に形成され、熱を用いないで被溶接材料を溶接することが可能となる。
Drawing

※Click image to enlarge.

thum_2005-035669.GIF
Research field
  • Manufacturing technology of solid‐state devices
  • Applications of lasers
Seeds that can be deployed (In Japanese)溶接時に、熱による局所的な変質や変形等の欠陥を材料に生じさせず、接合後に分解でき部品の再利用が可能な、シリカガラス材料を中心とした光化学的溶接法を確立する。さらに、光化学的溶接法により接合されたSi‐O‐Si結合を含む化合物と被接合材料とを、シリカガラスを溶解可能な薬品に浸漬することにより、再利用可能なように分解できる分解法を提供する。
この光化学的溶接法によると、局所的な変質や変形などの欠陥のない接合体が得られ、接合後は、フッ酸などに浸漬することにより部品の再利用が可能である。
Usage Use field (In Japanese)光導波路、マイクロ化学分析装置、マイクロナノデバイス
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)防衛装備庁長官, . (In Japanese)大越 昌幸, 井上 成美, . PHOTOCHEMICAL WELDING METHOD AND DECOMPOSING METHOD USING COMPOUND CONTAINING Si-O-Si BOND. P2006-219354A. Aug 24, 2006
  • C03C  27/00     
  • B23K  26/00     
  • B32B  17/10     

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