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(In Japanese)分子デバイス及びその製造方法

Seeds code S120007737
Posted date Jan 5, 2012
Researchers
  • (In Japanese)宮戸 祐治
  • (In Japanese)小林 圭
  • (In Japanese)山田 啓文
  • (In Japanese)松重 和美
Name of technology (In Japanese)分子デバイス及びその製造方法
Technology summary (In Japanese)本発明の分子デバイス(1)は、基板(4)の酸化物からなる酸化物層(4b)上に、その表面に化学的に結合するように形成された、自己組織化された単分子膜(3)が設けられ、単分子膜(3)上には、ナノ構造体が配置されている。単分子膜(3)は、疎水性膜でありナノ構造体とほとんど相互作用しない。これにより、基板と、該基板上に配置されるナノ構造体との相互作用を低減し、基板上でのナノ構造体の配向を容易に制御し得る分子デバイス及びその製造方法を提供することができる。
Drawing

※Click image to enlarge.

thum_2006-532724.gif
Research field
  • Semiconductor integrated circuit
Seeds that can be deployed (In Japanese)ナノチューブを用いた集積回路の形成に際して、基板上にナノチューブを配置した場合、ナノチューブと基板表面との間に生じる相互作用により、基板上でのナノチューブの配置を自在に制御することが困難であるという問題を有している。これに対し、基板と基板上に配置されるナノ構造体との相互作用を低減し、基板上でのナノ構造体の配向を容易に制御し得る分子デバイス及びその製造方法を提供することを目的とする。
疎水性膜が基板とナノ構造体との相互作用を低減させるので、疎水性膜を介して基板上の所望しない位置に配置されたナノ構造体を基板上から取り除くことが容易となり、疎水性膜を介して基板上の所望の位置にナノ構造体を移動させて配置できる。また、疎水性膜は1分子長の膜厚で形成できるんで、分子デバイスの大きさを増加させることなく、所望する位置にナノ構造体が配置できる。その結果、基板と該基板上に配置されるナノ構造体との相互作用を低減し、基板上でのナノ構造体の配向を容易に制御し得る分子デバイス及びその製造方法を提供できるという効果を奏する。
Usage Use field (In Japanese)ナノチューブを用いた次世代半導体素子、次世代LSI、次世代光学素子
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立大学法人京都大学, . (In Japanese)宮戸 祐治, 小林 圭, 山田 啓文, 松重 和美, . (In Japanese)分子デバイス及びその製造方法. . May 8, 2008
  • H01L  29/06     
  • H01L  51/05     
  • H01L  51/40     
  • B82B   1/00     
  • B82B   3/00     

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