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SRAM MEMORY CELL EVALUATING METHOD AND PROGRAM

Seeds code S120007744
Posted date Jan 5, 2012
Researchers
  • (In Japanese)中村 和之
  • (In Japanese)小池 洋紀
Name of technology SRAM MEMORY CELL EVALUATING METHOD AND PROGRAM
Technology summary (In Japanese)SRAMメモリセルの第1のインバータの入出力特性データに対して座標軸を45度回転させる座標変換を行い、近似曲線へのフィッティングによって第1の近似曲線関数を特定するとともに、SRAMメモリセルの第2のインバータの入出力特性データに対して座標軸を45度回転させる座標変換を行い、近似曲線へのフィッティングによって第2の近似曲線関数を特定し、前記第2の近似曲線関数をY軸に対してミラー反転させた関数である第3の近似曲線関数を特定し、前記第1の近似曲線関数と前記第3の近似曲線関数の差分とした差分曲線関数の極値からスタティックノイズマージンを特定する。
Drawing

※Click image to enlarge.

thum_2007-095928.gif
Research field
  • CAD, CAM
Seeds that can be deployed (In Japanese)昨今の微細化されたSRAMメモリセルでは、微細化にともなって製造時のバラツキの影響を受けやすくなっており、SRAMメモリセルを設計する場合には、製造時のバラツキを考慮して設計することが望まれており、このバラツキの評価を効率よく行うために、スタティックノイズマージンを効率よく計算することが求められていた。しかし、手作業でスタティックノイズマージンを求めるために多大な時間を要し、全ての製造時のバラツキを考慮した設計を行うことは不可能であった。本発明は、より短時間でスタティックノイズマージンの評価を行って、SRAMメモリセルの設計に要する時間を短縮化可能なSRAMメモリセルの評価方法及び評価プログラムを提供することを目的とする。
本発明のアルゴリズムにより、スタティックノイズマージン算出手順が容易化でき、短時間でスタティックノイズマージンが評価されることにより、SRAMメモリセルの設計に要する時間を短縮化することができる。
Usage Use field (In Japanese)SRAMメモリ評価プログラム
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立大学法人九州工業大学, . (In Japanese)中村 和之, 小池 洋紀, . SRAM MEMORY CELL EVALUATING METHOD AND PROGRAM. P2008-257760A. Oct 23, 2008
  • G11C  29/56     
  • G11C  11/413    

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