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非晶質状炭素膜の表面改質方法


シーズコード	S120008016
掲載日	2012年1月18日
研究者	平栗健二金杉和弥星野祐太
技術名称	非晶質状炭素膜の表面改質方法
技術概要	不活性ガス（Ａｒなど）を用いて非晶質状炭素膜（例、ＤＬＣ膜）の表面をエッチング（たとえば、プラズマエッチング）処理し、さらにその表面をシランカップリング剤（例、アミノシラン（ＡＰＳ））を用いて表面処理（浸漬）する非晶質状炭素膜の表面改質方法である。この方法によりシランカップリング剤を用いた表面改質の有効性が向上する。ＤＬＣ膜は、基板（Ｓｉ、ポリマー、金属、セラミックなど）上にメタンを炭素源として高周波プラズマ化学気相成長（ＣＶＤ）装置により製膜される。また、使用可能なシランカップリング剤としては、３‐アミノプロピルトリエトキシシラン、３‐アミノプロピルトリメトキシシランなどがある。図は、非晶質状炭素膜が基板表面上に形成されている例を示す。
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研究分野	無機化合物の薄膜固体デバイス一般
展開可能なシーズ	シランカップリング剤を用いた表面改質の有効性を向上できる非晶質状炭素膜の表面改質方法を提供する。非晶質状炭素膜のシランカップリング剤を用いた表面改質の有効性を向上できる。
用途利用分野	非晶質炭素膜（ＤＬＣ膜）、医療用デバイス
出願特許		特許	国際特許分類(IPC)
出願特許	( 1 )	学校法人東京電機大学， . 平栗健二，金杉和弥，星野祐太， . 非晶質状炭素膜の表面改質方法. 特開2010-202466. 2010-09-16	C01B 31/02 C23C 16/27

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技術名称	METHOD FOR MODIFYING SURFACE OF AMORPHOUS CARBON FILM
研究分野	Thin films of other inorganic compounds Solid‐state devices in general