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PLASMA ETCHING METHOD, AND MANUFACTURING METHOD FOR PHOTONIC CRYSTAL

Seeds code S120008060
Posted date Jan 19, 2012
Researchers
  • (In Japanese)野田 進
  • (In Japanese)今田 昌宏
  • (In Japanese)高橋 重樹
  • (In Japanese)岡野 誠
Name of technology PLASMA ETCHING METHOD, AND MANUFACTURING METHOD FOR PHOTONIC CRYSTAL
Technology summary (In Japanese)基材21の表面に、それに対して傾斜した形状の縁23を持つ電界制御板22を表面に対して平行に載置し、プラズマ中のイオンにバイアス電圧を印加することによりイオンを基材21の表面に入射させる。電界制御板22の縁23がオーバーハングしているため、一見すると縁23の直下の領域26にはイオンが到達しないようにも思われるが、実際には縁23に沿って電界制御板22の下面側に等電位面が引き込まれるように変形することにより、領域26にイオンが回り込んで入射する。これにより、大面積に亘って、基材21の表面の法線に対して40°~50°という大きなエッチング角で斜方向エッチングを行うことができ、それにより3次元フォトニック結晶を好適に作製することができる。
Drawing

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thum_2006-171977.GIF
Research field
  • Optical devices in general
  • Manufacturing technology of solid‐state devices
Seeds that can be deployed (In Japanese)半導体デバイス等の微細加工に適したプラズマエッチング方法及びその方法を用いたフォトニック結晶に関するものであり、大面積に亘って大きなエッチング角で斜方向プラズマエッチングを行う方法を提供する。
電界制御板の縁が、電界制御板の上面が下面よりも外側に突出(オーバーハング)するように傾斜している。プラズマと基材表面の間に電位差(バイアス電圧)を形成すると、縁付近の等電位面は縁の下側に引き込まれるように形状が歪み、イオンは縁の直下の領域に回り込み、基材表面に対して斜め方向に入射する。これにより、基材を、その表面の法線に対して傾斜した方向にエッチングすることができる。また、電界制御板の縁と基材表面の成す角度や電界制御板の厚さを調整することにより、電界制御板の縁付近における等電位面の形状及びそれにより定まるエッチング角を制御することができる。
Usage Use field (In Japanese)フォトニック結晶、光共振器、光導波路、光合分波器
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立大学法人京都大学, . (In Japanese)野田 進, 今田 昌宏, 高橋 重樹, 岡野 誠, . PLASMA ETCHING METHOD, AND MANUFACTURING METHOD FOR PHOTONIC CRYSTAL. P2008-004711A. Jan 10, 2008
  • H01L  21/3065   
  • G02B   1/02     

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