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ELECTROLESS Cu PLATING LIQUID AND ELECTROLESS Cu PLATING METHOD

Seeds code S120008219
Posted date Jan 20, 2012
Researchers
  • (In Japanese)新井 進
Name of technology ELECTROLESS Cu PLATING LIQUID AND ELECTROLESS Cu PLATING METHOD
Technology summary (In Japanese)CNTの分散剤として、トリメチルセチルアンモニウム塩を1.0×10-3M~2.0×10-3M程度添加する。トリメチルセチルアンモニウム塩は、トリメチルセチルアンモニウムクロリドが好適である。めっき条件によって、CNTが無電解Cuめっき皮膜内に完全に埋没している状態や、無電解Cuめっき皮膜表面にCNTの先端が突出している状態に調整できる。CNT先端がめっき皮膜表面に突出している場合には、摺動特性に優れる被めっき物を得ることができる。また、無電解Cuめっき皮膜中にCNTを取り込ませた場合、2μm程度のめっき皮膜の厚さで、100kHz~数GHz程度までの高い周波数の電磁波シールド性を有することが期待できる。無電解Cuめっき液は、CNTと、このCNTを分散させるトリメチルセチルアンモニウム塩を含む。トリメチルセチルアンモニウム塩は、トリメチルセチルアンモニウムクロリドが好適である。上記無電解Cuめっき液を用いて無電解めっきを行い、被めっき物に、CNTが埋没した又は表面にCNTの先端が突出した無電解Cuめっき皮膜を形成する。
Drawing

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thum_2009-065067.GIF
Research field
  • Electroless plating
Seeds that can be deployed (In Japanese)電解Cuめっき方法では、分散剤にポリアクリル酸を用いてCuめっき液中にCNTを分散させ、めっきを施すことによって、Cuめっき皮膜中にCNTを取り込ことができる。分散剤にポリアクリル酸を用いることによって、CNTをCuめっき液中に良好に分散できる。しかし、無電解Cuめっきの場合には、電解Cuめっきとはめっきの原理が異なり、電解Cuめっきの場合ほどは、Cuめっき皮膜中にCNTを良好に取り込むことはできなかった。CNTをめっき皮膜中に良好に取り込むことのできる無電解Cuめっき液および無電解Cuめっき方法を提供する。
無電解めっきであっても、被めっき物に、CNTが埋没した状態や、先端が突出した状態で良好に取り込まれたCuめっき皮膜を形成することができる。この被めっき物は、電磁波シールド性や摺動特性に優れる。また、無電解Cuめっきであることから、被めっき物が複雑な形状のものであっても均一な膜厚が得られる。
Usage Use field (In Japanese)摺動性被めっき物、電磁波シールド電気機器、電磁波シールド電子機器
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立大学法人信州大学, . (In Japanese)新井 進, . ELECTROLESS Cu PLATING LIQUID AND ELECTROLESS Cu PLATING METHOD. P2010-215978A. Sep 30, 2010
  • C23C  18/52     
  • C23C  18/38     

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