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ELECTROLESS Ni-P PLATING LIQUID AND ELECTROLESS Ni-P PLATING METHOD

Seeds code S120008225
Posted date Jan 20, 2012
Researchers
  • (In Japanese)新井 進
Name of technology ELECTROLESS Ni-P PLATING LIQUID AND ELECTROLESS Ni-P PLATING METHOD
Technology summary (In Japanese)無電解Ni-Pめっきにおいてめっき液へのVGCF(商標)(市販の直径100nm~200nm、長さ10~20μm程度のサイズの大きなCNT)の分散剤として、トリメチルセチルアンモニウムクロリドを好適とするトリメチルセチルアンモニウム塩を用いる。被めっき物に、表面にCNTの先端が突出した無電解Ni-Pめっき皮膜を形成する。長さを3μm~4μmに調節したCNTを用いると好適である。また、得られた無電解Ni-Pめっき皮膜の熱処理を行うようにしてもよい。CNTとは、カーボンナノチューブの他、フッ素化カーボンナノチューブなど、CNTの誘導体も含む。トリメチルセチルアンモニウム塩はカチオン系の界面活性剤であって、めっき液中で正に帯電し、直鎖状の長い分子でCNTによく絡みつき、CNTを正に帯電させる。そして、CNTがこのように正に帯電することから、CNTが無電解Ni-Pめっき皮膜に強く吸着され、この状態でさらにめっき皮膜が積み上がっていくことから、CNTがめっき皮膜中に良好に取り込まれる。
Drawing

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thum_2009-065049.GIF
Research field
  • Electroless plating
Seeds that can be deployed (In Japanese)分散剤にポリアクリル酸を用いることによって、カーボンナノチューブ(CNT)をめっき液中に良好に分散させることができる。しかし、無電解めっきの場合には、電解めっきとはめっきの原理が異なり、電解めっきの場合ほどは、めっき皮膜中にCNTを良好に取り込むことはできない。VGCF(商標)のような大きなサイズのCNTであっても、めっき皮膜中に良好に取り込むことのできる無電解Ni-Pめっき液および無電解Ni-Pめっき方法を提供する。
CNTは、摩擦係数が小さく、CNTが無電解Ni-Pめっき皮膜の表面に多数斜めに突出しているので、被めっき物表面の摩擦係数も小さく、摺動特性に優れる被めっき物を得ることができる。無電解Ni-Pめっき皮膜はアモルファス状で比較的硬度が低いが、300~400℃程度にまで熱処理をすることによって結晶化し、熱処理しないものに対して約1.5倍程度硬度が高くなる。無電解Ni-Pめっきであることから、被めっき物が複雑な形状のものであっても均一な膜厚が得られる。また、被めっき物が金属、非金属(樹脂材など)にかかわらずめっきができる。
Usage Use field (In Japanese)カーボンナノチューブ、ニッケル合金複合めっき物
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立大学法人信州大学, . (In Japanese)新井 進, . ELECTROLESS Ni-P PLATING LIQUID AND ELECTROLESS Ni-P PLATING METHOD. P2010-215977A. Sep 30, 2010
  • C23C  18/52     
  • C23C  18/36     

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