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(In Japanese)無電解Cuめっき液、無電解Cuめっき方法および無電解Cuめっき液へのCNT分散剤

Seeds code S120008231
Posted date Jan 20, 2012
Researchers
  • (In Japanese)新井 進
  • (In Japanese)金澤 大志
Name of technology (In Japanese)無電解Cuめっき液、無電解Cuめっき方法および無電解Cuめっき液へのCNT分散剤
Technology summary (In Japanese)無電解Cuめっき液は、CNTと、該CNTを分散させる、ドデシル硫酸ナトリウムとヒドロキシプロピルセルロースとからなる分散剤とを含む。ドデシル硫酸ナトリウムとヒドロキシプロピルセルロースの添加量は、それぞれ1.0×10-3M~2.0×10-3M程度である。ドデシル硫酸ナトリウム(ラウリル硫酸ナトリウム)は、硫酸のモノ長鎖テルのナトリウム塩である。ヒドロキシプロピルセルロースは、天然に広く存在するセルロースを原料として得られる、分子量約30000~1000000の非イオン性のセルロースエーテルである。CNTとは、カーボンナノチューブの他、フッ素化カーボンナノチューブなど、カーボンナノチューブの誘導体も含むものとする。また、無電解銅めっき液中へのCNTの添加量も特に限定されるものではないが、2g/l程度が好ましい。CNTの種類は、太さが100nm~200nmで、長さが10μm~20μmの大きなサイズのCNTもめっき皮膜中に取り込むことができる。また、直径10nm~15nm、長さ10μm~20μmの細いCNTもめっき皮膜中に良好に取り込むことができる。
Drawing

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thum_2009-209998.GIF
Research field
  • Electroless plating
Seeds that can be deployed (In Japanese)めっき液中に分散剤と微細炭素繊維もしくはその誘導体とを添加して、分散剤によりめっき液中に微細炭素繊維(カーボンナノチューブ:CNT)又はその誘導体を分散させ、めっきを施して、基材表面に、微細炭素繊維もしくはその誘導体が混入しているめっき皮膜を形成する。その際のCNTをめっき皮膜中に良好に取り込むことのできる無電解Cuめっき液、無電解Cuめっき方法および無電解Cuめっき液へのCNT分散剤を提供する。
無電解めっきであっても、被めっき物に、CNTが埋没した状態や、先端が突出した状態で良好に取り込まれたCuめっき皮膜を形成できる。また、無電解Cuめっきであることから、被めっき物が複雑な形状のものでも均一な膜厚が得られる。無電解Cuめっき皮膜中にCNTを取り込ませた場合、2μm程度のめっき皮膜の厚さで、100kHz~100GHz程度までの高い周波数の電磁波シールド性を有する。CNT先端がめっき皮膜表面に突出している場合には、CNTは、摩擦係数が小さいことから、被めっき物表面の摩擦係数も小さく、摺動特性に優れる被めっき物を得ることができる。
Usage Use field (In Japanese)電磁波シールド層、パターン配線層、摺動層
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立大学法人信州大学, . (In Japanese)新井 進, 金澤 大志, . ELECTROLESS Cu PLATING LIQUID, ELECTROLESS Cu PLATING METHOD, AND CNT DISPERSANT INTO ELECTROLESS Cu PLATING LIQUID. P2011-058061A. Mar 24, 2011
  • C23C  18/52     
  • C23C  18/38     

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