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ANATASE-TYPE TITANIUM OXIDE, AND TRANSPARENT CONDUCTIVE THIN FILM

Seeds code S120008452
Posted date Jan 27, 2012
Researchers
  • (In Japanese)久保 衆伍
  • (In Japanese)山田 容士
  • (In Japanese)北川 裕之
Name of technology ANATASE-TYPE TITANIUM OXIDE, AND TRANSPARENT CONDUCTIVE THIN FILM
Technology summary (In Japanese)ホウ素のドープ量を1×1019cm-3~5×1022cm-3としたアナターゼ型酸化チタン、および同アナターゼ型酸化チタンを用いた透明導電薄膜。抵抗値が10-3[Ω・cm]以下である、ホウ素がドープされたアナターゼ型酸化チタン、および同アナターゼ型酸化チタンを用いた透明導電薄膜。本薄膜の製造方法は特に限定しないが、一例としてRFマグネトロンスパッタ法で、RF周波数:13.56MHz、プレート電圧:200V、RF電力:200Wが挙げられる。また、膜質を向上させるために、DCスパッタを用い、また、基板を後熱処理(ポストアニール)することにより、更に低抵抗化し、実用性を向上させる方法も採用できる。
Research field
  • Oxide thin films
  • Manufacturing technology of solid‐state devices
Seeds that can be deployed (In Japanese)近年、PDP(プラズマディスプレイパネル)やELパネルなどに適用するために、透明電極の研究開発が進んでいる。実際、ITOやZnOの研究開発が進められITOを用いたものは製品化されている。また、Nb(ニオブ)をドープした酸化チタンも透明導電性を有することが知られている。しかしながら、従来の技術では以下の問題点があった。すなわち、ITOを用いたパネルが盛んに製造されているが、Inが希少金属であり、資源枯渇問題が深刻化しつつある。また、Inの健康への影響も指摘されている。そこで、ITO代替の新規導電体または新規透明導電薄膜を提供する。
均質性が期待でき、耐湿性の高い、新規導電体または新規透明導電薄膜である。更に、膜質を向上させるために、DCスパッタを用い、また、基板を後熱処理(ポストアニール)することにより、更に低抵抗化し、実用性を向上させる方法を採用できる。
Usage Use field (In Japanese)アナターゼ型酸化チタン、透明導電膜、太陽電池の配線
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立大学法人島根大学, . (In Japanese)久保 衆伍, 山田 容士, 北川 裕之, . ANATASE-TYPE TITANIUM OXIDE, AND TRANSPARENT CONDUCTIVE THIN FILM. P2010-013309A. Jan 21, 2010
  • C01G  23/04     
  • H01B   5/14     
  • H01B   1/08     
  • C23C  14/08     

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