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CdSe QUANTUM DOT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Seeds code S120008464
Posted date Jan 27, 2012
Researchers
  • (In Japanese)ルミアナ バカロヴァ
  • (In Japanese)菅野 巖
Name of technology CdSe QUANTUM DOT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
Technology summary (In Japanese)CdSe量子ドットを合成する方法であって、Cd前駆体溶液とSe前駆体溶液を混合し、前記混合物を0.10℃/分~0.80℃/分の上昇温度勾配で、好ましくは0.20℃/分~0.55℃/分の上昇温度勾配で、更に好ましくは0.20℃/分~0.50℃/分の上昇温度勾配で加熱することを特徴とする方法。110℃~250℃の温度範囲で加熱することを特徴とし、Cd前駆体溶液中のCdとSe前駆体溶液中のSeの原子比が、0.85:1~1.10:1であることを特徴とし、またはCd前駆体溶液が、炭素数10~18の脂肪酸を含むことを特徴とする方法。110℃から120℃まで、120℃から150℃まで、150℃から190℃まで、190℃から220℃まで、または220℃から250℃まで0.20℃/分~0.5℃/分の上昇温度勾配で加熱することを含む方法。CdSe量子ドットの結晶成長曲線が線形である方法。サイズが5nm以下でかつサイズ分布が5%以下であり、量子収率が40~80%(ローダミン6Gを標準物質とする)であり、そして半値全幅(FWHM)が40nm以下の発光スペクトルを有するCdSe量子ドット。
Seeds that can be deployed (In Japanese)単一反応において均一サイズのCdSe量子ドットを高度に再現性良くかつ容易なコントロールにより多数種合成できるCdSe量子ドットの製造方法を提供し,望む大きさとスペクトル特性を有し、高い均一サイズを有する量子ドット分画を高度に再現性良く合成できるCdSe量子ドットの製造方法を提供し,Cd前駆体あるいはSe前駆体の利用率を高めて(収率の向上)、環境にやさしいCdSe量子ドットの製造方法を提供する。
正確で制御しやく、非常に再現性の高い。また、複数の均一サイズのCdSe量子ドット分画を一つの反応混合物から精製することなく製造することができる。量子ドットフラクションは初期には非凝集体であり、高い透明性を有し、サイズ選択及び精製が不要である。更に、CdSe量子ドット分画は量子収率が非常に高く、かつ、発光スペクトルの半値全幅(FWHM)が非常に狭い(すなわちシャープなスペクトルである)。
Usage Use field (In Japanese)CdSeナノ結晶、半導体超微粒子結晶
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, . (In Japanese)ルミアナ バカロヴァ, 菅野 巖, . CdSe QUANTUM DOT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF. P2009-161372A. Jul 23, 2009
  • C01B  19/04     
  • C09K  11/88     
  • C09K  11/08     

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