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HIGH-SPEED CHARGE TRANSFER PHOTODIODE, LOCK-IN PIXEL, AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Seeds code S120008594
Posted date Feb 3, 2012
Researchers
  • (In Japanese)川人 祥二
  • (In Japanese)竹下 裕章
Name of technology HIGH-SPEED CHARGE TRANSFER PHOTODIODE, LOCK-IN PIXEL, AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE
Technology summary (In Japanese)電荷生成領域として機能する第1導電型半導体層20と、この半導体層20の上部の一部に選択的に埋め込まれ、電荷生成領域で生成された電荷の電荷転送領域として機能する第2導電型表面埋込領域21aとを備える。そして、半導体層20の表面に平行な面内において定義された表面埋込領域21aの特定方向を電荷の電荷転送方向とし、この電荷転送方向に対し垂直方向に測った表面埋込領域21aの幅の変化、及び電荷転送方向に沿った表面埋込領域21aの不純物密度分布の少なくとも一方が、電荷転送方向の電界分布を一定にするように設定されている。
Drawing

※Click image to enlarge.

thum_2008-198872.gif
Research field
  • Photodetectors
  • Charge‐transfer devices
Seeds that can be deployed (In Japanese)従来の埋め込みフォトダイオードの構造では、高速な電荷転送ができなかった。それは、転送路の一部に電界の弱い領域ができて転送速度が制限され、転送時間が長くなるためである。そこで、電荷転送方向の電界分布をできるだけ広い範囲にわたって一定で大きな値となるような形状した高速電荷転送フォトダイオード、ロックインピクセル、固体撮像装置を提供する。
電荷転送方向の電界分布をできるだけ広い範囲にわたって一定で大きな値となるような形状した高速電荷転送フォトダイオード、この高速電荷転送フォトダイオードを有するロックインピクセル、及びこのロックインピクセルをセンサ要素(画素)として用いた固体撮像装置(ロックインイメージセンサ)を提供できる。これは、量産性に優れるため、安価で高性能なイメージセンサが得られると期待される。
Usage Use field (In Japanese)フォトダイオード、ロックインピクセル、固体撮像装置
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立大学法人静岡大学, . (In Japanese)川人 祥二, 竹下 裕章, . HIGH-SPEED CHARGE TRANSFER PHOTODIODE, LOCK-IN PIXEL, AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE. P2010-040594A. Feb 18, 2010
  • H01L  27/146    
  • H04N   5/374    
  • H04N   5/378    
  • H04N   5/369    
  • H01L  31/10     

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