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窒素化合物ガスクラスターイオンビームによる窒化物もしくは窒化表面の形成方法


シーズコード	S130009542
掲載日	2013年6月5日
研究者	斉藤博山田公松尾二郎
技術名称	窒素化合物ガスクラスターイオンビームによる窒化物もしくは窒化表面の形成方法
技術概要	クラスターイオンビーム装置は、クラスター発生部Ａとイオン化部Ｂ、加速部Ｃ、作用部Ｄとから構成される。クラスター発生部Ａには石英ガラス製のコニカルノズルが位置調整用のマニピュレータに取り付けられている。外部に接続されたガス導入パイプから導入された窒素化合物ガスをノズルから噴出させ、クラスターを形成する。この装置を用いた窒化物もしくは窒化表面の形成方法は、ＧａＡｓ基板表面に、窒素化合物のガスクラスターのイオンビームを照射することにより窒化物もしくは窒化表面を形成する方法で、窒素化合物は、窒素、アンモニア、酸化窒素、有機含窒素化合物、もしくはアンモニウムまたは有機含窒素化合物の金属錯体である。あらかじめ固体表面を、不活性ガスのクラスターイオンの照射により清浄化もしくは平坦化し、ガスクラスターイオンビームを収束もしくは偏向させて位置選択的に窒化物もしくは窒化表面を形成する。また、窒素化合物ガスクラスターイオンビームとともに元素もしくは元素化合物分子線を照射する。
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研究分野	固体デバイス製造技術一般トランジスタ電子ビーム・イオンビームの応用
展開可能なシーズ	窒化物や窒化表面を形成するための方法としてのプラズマあるいはイオンアシスト法、さらにはＭＢＥ法は、精密な固体表面の加工、修飾、あるいは改質や成膜の手段として期待され、その一部は実用的にも利用されているものの、依然として多くの問題をかかえているのが実情である。そこで、試料もしくはその表面にダメージ（損傷）を与えることなしに、より低い温度において、選択的な加工、修飾、改質、そして成膜等のプロセスとして窒素化合物ガスクラスターイオンビームによる窒化物もしくは窒化表面の形成方法を提供する。窒素化合物のガスクラスターイオンビームを用いた窒化物の形成や、試料表面の窒化が可能とされる。ガスクラスター原料としては、窒素、アンモニア、アンモニウム金属錯体等広範囲の窒素化合物が利用可能であり、かつ被処理試料も金属、半導体、絶縁体と様々な物に適用できる。ＣＶＤ法に比べて低温で処理が可能であり、イオンビームアシスト法よりは表面のダメージが小さい等の優れた効果が奏せられる。
用途利用分野	窒化物形成装置、窒化表面形成装置
出願特許		特許	国際特許分類(IPC)
出願特許	( 1 )	国立研究開発法人科学技術振興機構， . 斉藤博，山田公，松尾二郎， . 窒素化合物ガスクラスターイオンビームによる窒化物もしくは窒化表面の形成方法. 特開2000-087227. 2000-03-28	C23C 14/32 C23C 14/06

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技術名称	FORMATION OF NITRIDE BY GASEOUS NITROGEN COMPOUND CLUSTER ION BEAM
研究分野	Manufacturing technology of solid‐state devices Transistors Applications of electron beams and ion beams