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METHOD AND DEVICE FOR GROWING HIGH QUALITY SINGLE CRYSTAL

Seeds code S130009611
Posted date Jun 5, 2013
Researchers
  • (In Japanese)佐々木 孝友
  • (In Japanese)森 勇介
  • (In Japanese)吉村 政志
Name of technology METHOD AND DEVICE FOR GROWING HIGH QUALITY SINGLE CRYSTAL
Technology summary (In Japanese)白金るつぼを回転させて冷却法によりCLBO単結晶の育成を行った。シード棒は回転させず、羽根体も回転しない静止状態において育成を行った。原料溶液はCLBOフラックス組成とした。このセルフフラックスの成分組成は、Cs:Li:B:O=1:1:5.5:9.2とした。この組成は、化学量論組成(メルト組成)とすることも良好であることが確認されている。原料溶液の最高加熱温度は900℃とした。温度降下0.1℃/日、るつぼ回転30rpmとした。育成されたCLBO単結晶の品質を評価するため、単結晶を厚さ1.5cmにウェハー状にカットし、3面研磨を施したサンプルについて、He-Neレーザーにより結晶の内部散乱を観察した。観察の結果、羽根体を挿入し、白金るつぼを回転させて育成したCLBO単結晶は品質に優れていることが確認された。耐レーザー特性評価では、Nd:YAGレーザーの第4高調波(266nm)により内部レーザー損傷閾値を測定した。羽根体を挿入し、白金るつぼを回転させて育成したCLBO単結晶の内部レーザー損傷閾値は、低いところでも溶融石英より高い値となり、最高値は溶融石英の2倍程度になることが確認された。
Drawing

※Click image to enlarge.

thum_2000-150679.GIF
Research field
  • Crystal growth of oxides
Seeds that can be deployed (In Japanese)非線形光学結晶としてのCsLiB6O10(CLBO)は、高出力紫外レーザー光発生用として注目されているものであり、極高レーザー損傷耐力、極低光学損失、高均一性等の優れた性質と品質を持つものとすることが望まれているが、その融解溶液の粘性が高く、このことが高品質、高性能な単結晶を育成することを難しくしていた。実際、セルフフラックス組成のCLBO溶液の粘性は、育成温度の840℃近傍において約1000CSという高い粘度にある。高粘性の原料溶液であるCLBOの高品質、高性能な単結晶を育成することのできるCLBO単結晶の育成方法を提供する。
従来法で育成したCLBO単結晶と羽根体5を挿入し、白金るつぼを回転させて育成したCLBO単結晶の内部レーザー閾値を比較すると、羽根体5を挿入し、白金るつぼを回転させて育成したCLBO単結晶の方が、従来法で育成したCLBO単結晶より高くなっていることが分かる。これは、結晶性がかなり良くなったことを意味している。この出願の発明によって、高粘性の原料溶液から高品質、高性能のCLBO単結晶の育成が可能となる。
Usage Use field (In Japanese)酸化物結晶育成システム、非線形光学結晶、セシウムリチウムほう酸塩(CLBO)単結晶、セシウムリチウムほう酸塩(CLBO)単結晶育成システム
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)独立行政法人科学技術振興機構, . (In Japanese)佐々木 孝友, 森 勇介, 吉村 政志, . METHOD AND DEVICE FOR GROWING HIGH QUALITY SINGLE CRYSTAL. P2001-039791A. Feb 13, 2001
  • C30B  17/00     
  • C01D  17/00     
  • C01F  17/00     
  • C01G  33/00     
  • C01G  35/00     
  • C30B  15/30     
  • C30B  29/22     
  • C30B  29/30     

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