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MASKING MECHANISM FOR SUBSTRATE AND COMBINATORIAL FILM- FORMING APPARATUS

Seeds code S130009622
Posted date Jun 5, 2013
Researchers
  • (In Japanese)鯉沼 秀臣
  • (In Japanese)松本 祐司
Name of technology MASKING MECHANISM FOR SUBSTRATE AND COMBINATORIAL FILM- FORMING APPARATUS
Technology summary (In Japanese)マスキング機構(図2参照)を備えたコンビナトリアル成膜装置(図1)であって、真空チャンバ、ターゲット、レーザー装置、基板、基板加熱手段、酸素ガス供給管、基板マスキング機構、さらに、基板マスキング機構を上下動可能に支持し、且つ基板を回転可能に支持する支持機構とを備え、基板マスキング機構が、基板至近位置にマスクを配置し、このマスクの孔を通して成膜領域が設定されるようにしているのが特徴で、マスク(12)が、基板(1)表面の一部と接触する接触面及びこの接触面の略中央部に形成された孔(13)を有する接触部と、この接触部が基板面に接触した際に接触部周辺の基板面を遮蔽するシールド部とを備え、このシールド部が、基板からマスクへの熱伝導を小さくするように、先端がエッジ状に形成された周縁部を有しており、マスクを基板面に接触して成膜する際に、マスクの孔周辺の基板面を遮蔽することにより、蒸発したターゲット原子が回り込んで進入するのを阻止し、マスクの孔により成膜領域を正確に規定している。マスクの材質は、インコネル・ステンレス鋼であれば好ましく、この場合には、マスクの熱膨張係数が小さい。
Drawing

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Research field
  • Techniques and equipment of thin film deposition
  • Applications of lasers
  • Manufacturing technology of solid‐state devices
Seeds that can be deployed (In Japanese)単一基板上に複数の薄膜を適正かつ効率的に形成可能な基板マスキング機構およびこの基板マスキング機構によるコンビナトリアル成膜装置を提供する。
マスクの孔周辺の基板面を遮蔽することにより、蒸発したターゲット原子が回り込んで進入するのを阻止し、マスクの孔により成膜領域を正確に規定することができる。また、1枚の基板上に複数の薄膜をシーケンシャルに堆積させていくことで、成膜条件の異なる薄膜を効率よく、しかも適正に形成することができる。
Usage Use field (In Japanese)成膜装置
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立研究開発法人科学技術振興機構, . (In Japanese)鯉沼 秀臣, 松本 祐司, . MASKING MECHANISM FOR SUBSTRATE AND COMBINATORIAL FILM- FORMING APPARATUS. P2002-069613A. Mar 8, 2002
  • C23C 14/04    ZCC

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