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METHOD OF HEAT TREATMENT OF SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE

Seeds code S130009831
Posted date Jun 5, 2013
Researchers
  • (In Japanese)鯉沼 秀臣
  • (In Japanese)松本 祐司
  • (In Japanese)山本 雄一
  • (In Japanese)望月 圭介
  • (In Japanese)福士 大吾
Name of technology METHOD OF HEAT TREATMENT OF SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE
Technology summary (In Japanese)選択した面方位のルチル単結晶基板を大気下約300°C~約1,100°Cの加熱温度で電気炉などの加熱装置を用いて所定時間焼成して、上記ルチル単結晶基板の表面に約0.22nm~約0.46nmの高さ原子ステップ及びテラス構造を得るようにする方法である。
Drawing

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thum_2003-077151.gif
Research field
  • Crystal growth of oxides
Seeds that can be deployed (In Japanese)光触媒の発現機構の解明のために、また薄膜電子デバイス応用のために多く用いられているTiO2単結晶基板(以下「ルチル単結晶基板」と略称する。)の表面を、原子レベルでの高い平坦化を可能にすることにある。
本発明によれば、ルチル単結晶基板の表面を原子レベルでの平坦化が可能となるから、光触媒の発現機構の解明用材料に応用でき、また性能の良い薄膜電子デバイスに適用することができる。
Usage Use field (In Japanese)誘電体基板、磁性体基板、高温超電導体基板、光触媒材料基板
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立研究開発法人科学技術振興機構, AGC株式会社, 株式会社信光社, . (In Japanese)鯉沼 秀臣, 松本 祐司, 山本 雄一, 望月 圭介, 福士 大吾, . METHOD OF HEAT TREATMENT OF SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE. P2004-288767A. Oct 14, 2004
  • H01L  21/02     

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