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(In Japanese)ハイドライド気相成長方法による転位密度の低い無極性窒化ガリウムの成長

Seeds code S130009944
Posted date Jun 5, 2013
Researchers
  • (In Japanese)ベンジャミン・エー・ハスケル
  • (In Japanese)マイケル・ディー・クレイブン
  • (In Japanese)ポール・ティー・フィニ
  • (In Japanese)スティーブン・ピー・デンバース
  • (In Japanese)ジェームス・エス・スペック
  • (In Japanese)中村 修二
Name of technology (In Japanese)ハイドライド気相成長方法による転位密度の低い無極性窒化ガリウムの成長
Technology summary (In Japanese)平坦な無極性a面GaN膜のエピタキシャル横方向オーバーグロースを実施する方法は、基板上に堆積されているマスクをパターニングし(200~208)、ハイドライド気相成長法を使用して基板からGaN膜のエピタキシャル横方向オーバーグロースを実施する(210~224)。その時、パターニングされたマスクによって覆われていない基板部分上でのみGaN膜は核を形成し、GaN膜は、パターニングされたマスクの開口部を通って垂直に成長し、次にGaN膜は、パターニングされたマスク上および基板の表面上にわたって横方向に広がり、結果として隣接するGaNストライプと接合する。エピタキシャル横方向オーバーグロースはGaN膜中の貫通転位密度を低減させる。
Drawing

※Click image to enlarge.

thum_2004-564676.gif
Research field
  • Manufacturing technology of solid‐state devices
Seeds that can be deployed (In Japanese)横方向オーバーグロースを使用し、高品質で、欠陥密度が低く、無極性のa面{11-20}GaN膜をハイドライド気相成長法によって成長させる方法を提供する。
ハイドライド気相成長法と共にLEO(エピタキシャル横方向オーバーグロース)を実施することによってa面GaNの形態的欠陥および構造的欠陥の実質的な低減を容易に達成することができ、又オーバーグロースGaNの貫通転位密度が低減されると共に、表面の形態およびルミネセンスも非LEOの平坦なa面GaNに比べ著しく改善される。
Usage Use field (In Japanese)レーザーダイオード製造装置、発光ダイオード製造装置、トランジスタ製造装置
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア, 独立行政法人科学技術振興機構, . (In Japanese)ベンジャミン・エー・ハスケル, マイケル・ディー・クレイブン, ポール・ティー・フィニ, スティーブン・ピー・デンバース, ジェームス・エス・スペック, 中村 修二, . (In Japanese)ハイドライド気相成長方法による転位密度の低い無極性窒化ガリウムの成長. P2006-510227A. Mar 23, 2006
  • H01L  21/205    
  • H01L  21/02     

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