METHOD FOR FORMING ELECTRON TRANSFERABLE BODY AND MATERIAL FOR FORMING ELECTRON TRANSFERABLE BODY
| Seeds code | S130010040 | ||
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| Posted date | Jun 6, 2013 | ||
| Researchers |
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| Name of technology | METHOD FOR FORMING ELECTRON TRANSFERABLE BODY AND MATERIAL FOR FORMING ELECTRON TRANSFERABLE BODY | ||
| Technology summary | (In Japanese)EtCp3Erを用いる成膜装置（MOCVD）において、原料容器1a、1b、1c、1d、1eには、各々、トリエチルガリウム（TEG）、トリメチルインジウム（TMI）、EtCp3Er、ターシャリ－ブチルアルシン（TBAs）、ターシャリ－ブチルフォスフィン（TBP）が入れられており、室温～150℃の範囲の温度で保持される。そして、キャリアガスとして水素が1～2000ml／minの割合で吹き込まれる。分解反応炉4内は0．1atmにされ、基板温度は流す原料種によって450℃～700℃に変化させる。初めにTBAsとTEGとが、次にTBPとTEGとTMIとが、その次にTBPとEtCp3Erとが、最後にTBPとTEGとTMIとが流される。こうして、基板5上に薄膜が形成される。成膜後に基板を取り出し、膜断面のSEM像を観測し、SIMSプロファイルの結果と合わせると、基板／GaAs／Ga（1－x）InxP（xは0～1の数）／ErP／Ga（1－x）InxP（xは0～1の数）の構造の導電性ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成されていることが確認される。 | ||
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Drawing
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| Research field |
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| Seeds that can be deployed |
(In Japanese)高性能な電子移動可能体が得られる技術を提供する。特に、波長安定性や発光効率が良く、発光波長の環境温度依存性が極めて小さなランタノイド元素を有する電子移動可能体を提供する。 トリス－エチルシクロペンタジエニル－エルビウム（EtCp3Er）は、融点が70℃以下で、気化させる温度において液体であり、気化特性が良好である。従って、高性能な電子デバイスが得られる。特に、波長安定性や発光効率が良く、発光波長の環境温度依存性が極めて小さなエルビウムを添加した電子デバイスが得られる。 |
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| Usage Use field | (In Japanese)導電性ヘテロ構造化合物膜、ヘテロ構造化合物、電子デバイス、トリス－エチルシクロペンタジエニル－エルビウム、発光デバイス、化合物半導体、電子移動可能体 | ||
| Application patent | patent | IPC(International Patent Classification) | |
| ( 1 ) | (In Japanese)国立研究開発法人科学技術振興機構， 株式会社トリケミカル研究所， . (In Japanese)中村 新男， 竹田 美和， 藤原 康文， 茜 俊光， 町田 英明， 大平 達也， 野津 定央， 下山 紀男， . METHOD FOR FORMING ELECTRON TRANSFERABLE BODY AND MATERIAL FOR FORMING ELECTRON TRANSFERABLE BODY. P2006-336107A. Dec 14, 2006 |
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- Japan Science and Technology Agency Department of Intellectual Property Management
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-
E-mail:
- Address:5-3, Yonbancho, Chiyoda-ku, Tokyo, Japan , 102-8666
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