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(In Japanese)有機薄膜を有する基板及びそれを用いたトランジスタ並びにそれらの製造方法

Seeds code S130010086
Posted date Jun 6, 2013
Researchers
  • (In Japanese)鯉沼 秀臣
  • (In Japanese)伊高 健治
  • (In Japanese)山城 貢
Name of technology (In Japanese)有機薄膜を有する基板及びそれを用いたトランジスタ並びにそれらの製造方法
Technology summary (In Japanese)図示のように、本発明の基板1は、基板2上に、第1の有機材料から成るバッファー層3と、第2の有機材料としてC60等の有機薄膜4と、が順次積層された構造を持つ。バッファー層3は有機薄膜4を配向させる機能を有しており、従来、膜状ではない柱状結晶やアモルファス薄膜しか得られなかった有機材料において、結晶からなる有機薄膜4を、基板1上に成長させることができる。基板2は、六方晶系のサファイア基板、ガラス基板、石英基板及びポリイミドのような有機材料が配向しやすい基板であればよく、基板2の表面は平坦なことが望ましく、その表面荒さは、バッファー層3となる材料の分子層程度以下とすることが好適である。例えば、バッファー層3がペンタセン薄膜3の場合、表面粗さは、約15Å程度の基板であれば良い。バッファー層3は、三斜晶系のペンタセン又はフッ素化ペンタセン等のアセン系有機材料とその誘導体を使用できる。有機薄膜4は、Cnフラーレン(nは60以上の整数)、Cnフラーレン誘導体、ルブレン(5,6,11,12-テトラフェニルナフタセン)の何れかを用いる。
Drawing

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thum_2006-511347.gif
Research field
  • Manufacturing technology of solid‐state devices
Seeds that can be deployed (In Japanese)C60やルブレンなどの有機薄膜を二次元成長できる、有機薄膜を有する基板を提供すること、及び有機薄膜を有する基板を用いたトランジスタとその製造方法を提供する。
FETや超格子構造を有するデバイスでは、原子レベルで、組成や膜厚の異なる薄膜を順次形成するために、2次元的な薄膜を作製する必要がある。本発明の有機薄膜を有する基板1においては、バッファー層3の厚さを1分子層から10分子層程度挿入することにより、C60やルブレンなどの有機薄膜4自体の配向性をよくすることができ、また、有機薄膜4と基板2との格子歪が緩和できる。これにより2次元的な薄膜を作製することができる。
Usage Use field (In Japanese)有機半導体薄膜の電界効果トランジスタ製造装置、有機半導体薄膜の電界効果トランジスタ
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立研究開発法人科学技術振興機構, . (In Japanese)鯉沼 秀臣, 伊高 健治, 山城 貢, . (In Japanese)有機薄膜を有する基板及びそれを用いたトランジスタ並びにそれらの製造方法. . Feb 7, 2008
  • H01L  51/40     
  • H01L  29/786    
  • H01L  51/05     
  • H01L  51/30     

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