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(In Japanese)含フッ素1,3-ジオキソラン化合物の製造方法

Seeds code S130010092
Posted date Jun 6, 2013
Researchers
  • (In Japanese)岡本 善之
  • (In Japanese)小池 康博
Name of technology (In Japanese)含フッ素1,3-ジオキソラン化合物の製造方法
Technology summary (In Japanese)図に示す製造技術において式(1)と式(2)とを用いて得られた化合物を、フッ素ガス雰囲気下で、フッ素系溶液中においてフッ素化し、式(3)の1,3-ジオキソラン誘導体含フッ素化合物を製造する。
Drawing

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thum_2006-524536.GIF
Research field
  • Aliphatic halogen compounds
Seeds that can be deployed (In Japanese)フッ素ガス雰囲気が、窒素ガスとフッ素ガスとの混合雰囲気であって、フッ素ガスに対する窒素ガスの比率が、2以上4以下である、フッ素化する工程において、反応温度を0℃~5℃に保ち、充分攪拌を行い、フッ素ガス雰囲気下で、フッ素系溶液中においてフッ素化する工程を有する含フッ素化合物の製造技術を提供する。
有用で新規な含フッ素化合物の製造技術、製造技術により得られる含フッ素化合物、含フッ素化合物の含フッ素ポリマー、及び含フッ素ポリマーを用いた光学材料又は電気材料を提供する。
Usage Use field (In Japanese)含フッ素1、3‐ジオキシラン化合物、含フッ素1、3‐ジオキシラン化合物製造技術
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立研究開発法人科学技術振興機構, . (In Japanese)岡本 善之, 小池 康博, . (In Japanese)含フッ素1,3-ジオキソラン化合物の製造方法. P2007-504125A. Mar 1, 2007
  • C07D 317/42     
  • C07D 317/46     
  • C07D 317/34     
  • C07D 317/44     
  • C07D 317/32     
  • C08F  24/00     

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