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(In Japanese)金属(Ti)キャッピングによるSi基板上のSiGe混晶膜の形成

Seeds code S022000023
Posted date May 26, 2003
Researchers
  • (In Japanese)安田 幸夫
Affiliation
  • (In Japanese)名古屋大学 大学院工学研究科
Research organization
  • (In Japanese)名古屋大学 大学院工学研究科
Name of technology (In Japanese)金属(Ti)キャッピングによるSi基板上のSiGe混晶膜の形成
Technology summary (In Japanese)次世代半導体素子の基幹材料として期待されるSiGe膜の成膜技術の確立が必要かつ急務の課題となっている。この技術は、Si基板上にGe膜を形成し、さらにその上部に金属(Ti)膜を堆積し、熱処理することによりGeとSi基板の界面におけるSiとGeの原子混合を促進し、SiGe混晶膜を形成する方法である。この方法により、Geの組成が深さ方向に滑らかに変化したSi1-xGex層(xはGeの組成比)の形成が可能となる。
Drawing

※Click image to enlarge.

S022000023_01SUM.gif
Outline of related art and contending technology (In Japanese)Si1-xGex層のGe組成比の制御は、エピタキシャル成長中に原料となるSiとGeの供給量を変化させることで制御されていたが、結晶安定性と再現性を高めることができなかった。
Research field
  • Manufacturing technology of solid‐state devices
Seeds that can be deployed (In Japanese)(1)金属キャップ層によりSiGe界面の原子混合を制御する方法
(2)膜厚方向にGeやSiの濃度が滑らかに変化するSi1-xGex層の形成が可能な方法
Usage Use field (In Japanese)超LSI(ULSI)の製作
Published papers related (In Japanese)(1)酒井朗, 杉本賢, 山本武雄, 岡田昌久, 財満鎮明, 安田幸夫. Siキャップ層を用いた歪緩和SiGeエピタキシャル膜の形成. 日本学術会議材料研究連合講演会講演論文集. vol.45th,2001,p.87‐88.
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)学校法人名古屋大学, . (In Japanese)安田 幸夫, 財満 鎭明, 酒井 朗, 山中 章, 中塚 理, . FORMING METHOD OF SEMICONDUCTOR MIXED CRYSTAL FILM. P2001-351862A. Dec 21, 2001
  • H01L  21/20     
  • H01L  21/203    

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