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(In Japanese)有機金属気相成長法による非極性窒化インジウムガリウム薄膜、ヘテロ構造物およびデバイスの製作

Seeds code S130010155
Posted date Jun 6, 2013
Researchers
  • (In Japanese)アーパン・チャクラボーティ
  • (In Japanese)ベンジャミン・エー・ハスケル
  • (In Japanese)ステーシア・ケラー
  • (In Japanese)ジェームス・エス・スペック
  • (In Japanese)スティーブン・ピー・デンバース
  • (In Japanese)中村 修二
  • (In Japanese)ウメシュ・ケー・ミシュラ
Name of technology (In Japanese)有機金属気相成長法による非極性窒化インジウムガリウム薄膜、ヘテロ構造物およびデバイスの製作
Technology summary (In Japanese)現行の(Ga、Al、In、B)Nデバイスは、極性[0001]c方向に成長させられるため、ヘテロ構造物中に電荷分離が起こり、特にオプトエレクトロニクス・デバイスの場合に、現行の最高技術水準のデバイスの性能を低下させる。そのようなデバイスを非極性方向に成長させれば、デバイス性能は著しく改善される。これまで、InGaNを含んだ高品質III族窒化物またはIII族窒化物系ヘテロ構造物を、非極性方向に成長させるための手段はまったく存在しなかった。そこで、非極性InGaN膜、ならびに非極性InGaN含有デバイス構造物の製作を可能にした。有機金属気相成長法(MOCVD)によって優れた平坦な非極性InGaN膜を成長させ、同じ技法によって機能性の非極性InGaNを含んだデバイスを製作した。
Drawing

※Click image to enlarge.

thum_2007-513224.gif
Research field
  • Manufacturing technology of solid‐state devices
  • Light emitting devices
Seeds that can be deployed (In Japanese)高品質インジウム(In)を含んだエピタキシャル層と、平坦な非極性窒化インジウムガリウム(InGaN)膜を備える、ヘテロ構造物およびデバイスを製作するための方法を提供する。
非極性InGaN膜、ならびに非極性InGaN含有デバイス構造物の製作を可能にすることによって、表面粗さが大きいこと、In取り込み量が少ないこと、およびInGaNヘテロ構造中のInが脱離することに関連する従来の問題を克服できた。
Usage Use field (In Japanese)近紫外発光ダイオード、レーザー・ダイオード
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア, 国立研究開発法人科学技術振興機構, . (In Japanese)アーパン・チャクラボーティ, ベンジャミン・エー・ハスケル, ステーシア・ケラー, ジェームス・エス・スペック, スティーブン・ピー・デンバース, 中村 修二, ウメシュ・ケー・ミシュラ, . (In Japanese)有機金属気相成長法による非極性窒化インジウムガリウム薄膜、ヘテロ構造物およびデバイスの製作. P2007-537600A. Dec 20, 2007
  • H01L  33/32     
  • H01L  21/205    
  • H01S   5/343    

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