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(In Japanese)半極性(Ga,Al,In,B)N薄膜、ヘテロ構造およびデバイスの成長と作製のための方法及び装置

Seeds code S130010236
Posted date Jun 6, 2013
Researchers
  • (In Japanese)ロバート・エム・ファレル
  • (In Japanese)トロイ・ジェー・ベーカー
  • (In Japanese)アーパン・チャクラボーティ
  • (In Japanese)ベンジャミン・エー・ハスケル
  • (In Japanese)ピー・モルガン・パチソン
  • (In Japanese)ラジャット・シャーマ
  • (In Japanese)ウメシュ・ケー・ミシュラ
  • (In Japanese)スティーブン・ピー・デンバース
  • (In Japanese)ジェームス・エス・スペック
  • (In Japanese)中村 修二
Name of technology (In Japanese)半極性(Ga,Al,In,B)N薄膜、ヘテロ構造およびデバイスの成長と作製のための方法及び装置
Technology summary (In Japanese)特定のデバイス応用に対する所望の材料特性を同定する。次に、所望の材料特性に基づいて半極性成長方位を選択し、選択された半極性成長方位の成長のための適当な基板を選択する。そして、基板上に平坦な半極性(Ga,Al,In,B)Nテンプレートまたは核形成層を成長する。および平坦な半極性(Ga,Al,In,B)Nテンプレートまたは核形成層上に半極性(Ga,Al,In,B)N薄膜、ヘテロ構造あるいはデバイスを成長する。この方法を用いることにより基板表面に平行な、大きな面積をもつ半極性(Ga,Al,In,B)N薄膜、ヘテロ構造、およびデバイスが実現できる。
Drawing

※Click image to enlarge.

thum_2008-514810.gif
Research field
  • Techniques and equipment of thin film deposition
  • Manufacturing technology of solid‐state devices
Seeds that can be deployed (In Japanese)半極性(Ga,Al,In,B)Nの薄膜、ヘテロ構造、およびデバイスの成長および作製の方法を提供する。
半極性方向に沿って(Ga,Al,In,B)N薄膜およびヘテロ構造を成長するので、分極の影響および正孔の有効質量を低減することによって、デバイス特性を劇的に改良することができる。
Usage Use field (In Japanese)発光ダイオード、端面発光レーザダイオード、垂直共振器面発光レーザダイオード、高電子移動度トランジスタ、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ、フォトデテクタ
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア, 国立研究開発法人科学技術振興機構, . (In Japanese)ロバート・エム・ファレル, トロイ・ジェー・ベーカー, アーパン・チャクラボーティ, ベンジャミン・エー・ハスケル, ピー・モルガン・パチソン, ラジャット・シャーマ, ウメシュ・ケー・ミシュラ, スティーブン・ピー・デンバース, ジェームス・エス・スペック, シュウジ・ナカムラ, . (In Japanese)半極性(Ga,Al,In,B)N薄膜、ヘテロ構造およびデバイスの成長と作製のための方法及び装置. P2008-543089A. Nov 27, 2008
  • H01L  21/205    
  • H01L  33/16     
  • H01S   5/343    

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